[发明专利]存储器器件、存储器集成电路及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器器件，包括：

复合底部电极；

顶部电极；以及

电阻可变层，设置在所述复合底部电极与所述顶部电极之间，

其中所述复合底部电极包括第一底部电极及设置在所述第一底部电极之上的第二底部电极，且所述第二底部电极的侧壁在侧向上相对于所述第一底部电极的侧壁及所述电阻可变层的侧壁凹入。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

硬掩模，设置在所述顶部电极之上。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，还包括：

钝化层，覆盖所述复合底部电极、所述电阻可变层及所述顶部电极。

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其中所述钝化层与所述复合底部电极的所述第二底部电极的所述侧壁实体接触。

5.根据权利要求3所述的存储器器件，其中空气隙位于所述第二底部电极的所述侧壁与所述钝化层之间。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二底部电极的所述侧壁具有弯曲表面，且所述第二底部电极的所述侧壁的最凹部分位于所述电阻可变层的底表面处。

7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第二底部电极的所述侧壁具有弯曲表面，且所述第二底部电极的所述侧壁的最凹部分位于所述第二底部电极的大约一半厚度处。

8.一种存储器集成电路，包括：

多个存储胞，排列成阵列，其中所述多个存储胞中的每一者包括存储器器件，且所述存储器器件包括复合底部电极、顶部电极、位于所述复合底部电极与所述顶部电极之间的电阻可变层及覆盖所述顶部电极、所述电阻可变层及所述复合底部电极的钝化层，其中所述复合底部电极包括第一底部电极及设置在所述第一底部电极之上的第二底部电极，且所述第二底部电极的侧壁在侧向上相对于所述第一底部电极的侧壁及所述电阻可变层的侧壁凹入；

多条位线，沿着第一方向延伸；以及

多条字线，沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸，其中所述存储器器件中的每一者电连接在所述多条位线中的一者与所述多条字线中的一者之间。

9.一种存储器器件的制造方法，包括：

在器件衬底之上依序形成第一底部电极层、第二底部电极层、电阻可变材料层、顶部电极层及硬掩模层；

将所述硬掩模层图案化以形成硬掩模；

使用所述硬掩模作为掩模将所述顶部电极层图案化，将所述电阻可变材料层图案化、将所述第二底部电极层图案化以及将所述第一底部电极层图案化；以及

使所述第二底部电极层在侧向上相对于经图案化的所述电阻可变材料层凹陷。

10.根据权利要求9所述的存储器器件的制造方法，其中在将所述电阻可变材料层图案化之后且在将所述第一底部电极层图案化之前，使用所述硬掩模作为所述掩模来执行一个单一刻蚀工艺以将所述第二底部电极层图案化以及使所述第二底部电极层在侧向上凹陷。

11.根据权利要求9所述的存储器器件的制造方法，其中使用所述硬掩模作为所述掩模来执行第一刻蚀工艺以将所述第二底部电极层图案化，且执行第二刻蚀工艺来使所述第二底部电极层在侧向上凹陷，并且所述第一刻蚀工艺与所述第二刻蚀工艺是不同的刻蚀工艺。

12.根据权利要求11所述的存储器器件的制造方法，其中用于使所述第二底部电极层在侧向上凹陷的所述第二刻蚀工艺是在将所述第一底部电极层图案化之前执行。

13.根据权利要求11所述的存储器器件的制造方法，其中用于使所述第二底部电极层在侧向上凹陷的所述第二刻蚀工艺是在将所述第一底部电极层图案化之后执行。