[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

形成一栅极沟槽于一半导体鳍状物上，该栅极沟槽包括多个第一栅极间隔物所围绕的一上侧部分，与多个第二栅极间隔物及多个所述第一栅极间隔物所围绕的一下侧部分；

形成一金属栅极于该栅极沟槽的该下侧部分中，其中该金属栅极位于一栅极介电层的一第一部分上；

沉积一金属材料于该栅极沟槽中，以形成一栅极于该栅极沟槽的该下侧部分中的该金属栅极上，且该栅极介电层的一第二部分维持覆盖多个所述第一栅极间隔物的侧壁与多个所述第二栅极间隔物的上表面；以及

移除该栅极介电层的该第二部分，而该栅极维持完整。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中移除该栅极介电层的该第二部分的步骤包括以一湿蚀刻溶液移除该栅极介电层的该第二部分，且该湿蚀刻溶液移除该栅极介电层的材料的速率大于移除该金属材料的速率。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中该湿蚀刻溶液包括一蚀刻剂、一氧化剂与一稳定剂。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中该蚀刻剂为氟化物为主的酸，该氧化剂为过氯酸，且该稳定剂为乙二胺四乙酸。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中一溶剂中的该蚀刻剂浓度介于约0.5％至约15％之间，该溶剂中的该氧化剂浓度介于约3％至约20％之间，且该溶剂中的该稳定剂浓度介于约0.1％至约5％之间。

6.一种半导体装置的制造方法，包括：

移除覆盖一半导体鳍状物的一部分的一虚置栅极结构；

形成一金属栅极于该半导体鳍状物的该部分上，其中该金属栅极位于一栅极介电层的一第一部分上；

沉积一金属材料以形成接触该金属栅极的一栅极，并露出该栅极介电层的一第二部分；以及

蚀刻该栅极介电层的一第二部分，并在蚀刻时露出该栅极，其中该栅极维持完整。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中蚀刻该栅极介电层的该第二部分的步骤包括暴露该栅极介电层的该第二部分与该栅极至一湿蚀刻溶液，且该湿蚀刻溶液设置为蚀刻该栅极介电层的材料的速率大于蚀刻该金属材料的速率。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中该湿蚀刻溶液包括一蚀刻剂、一氧化剂与一稳定剂。

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，蚀刻剂为氟化物为主的酸，氧化剂为过氯酸，且稳定剂为乙二胺四乙酸。

10.一种半导体装置，包括：

一半导体鳍状物；

多个第一间隔物，位于该半导体鳍状物上；

多个第二间隔物，位于该半导体鳍状物上，且比多个所述第一间隔物自该半导体鳍状物延伸得更远；

一金属栅极，位于该半导体鳍状物上，且夹设于多个所述第一间隔物之间，而多个所述第一间隔物更夹设于多个所述第二间隔物之间；以及

一栅极，接触该金属栅极的上表面，其中该栅极不延伸于些第一间隔物或多个所述第二间隔物上。