[发明专利]功率半导体结构及断路器转移支路组件

权利要求书

1.一种功率半导体结构，其特征在于，包括：

第一金属组件层；

半导体芯片组件，所述半导体芯片组件包含半导体芯片和芯片门极线；所述半导体芯片设于所述第一金属组件层上；所述芯片门极线的第一端连接所述半导体芯片；

第一冷却件，所述第一冷却件设于所述半导体芯片上；

第二金属组件层，所述第二金属组件层包括设于所述第一冷却件上的第一金属层，以及设于所述第一金属层上的第二金属层；其中，所述第一金属层设有容纳腔；

第二冷却件，所述第二冷却件设于所述容纳腔内；

其中，所述芯片门极线的第二端依次绝缘穿过第一冷却件和第一金属层，并从第二金属层的一侧面绝缘穿出；

所述第一金属层设有缺口，所述缺口与所述容纳腔连通；所述缺口用于注入所述第二冷却件；

所述容纳腔内设有若干个间隔设置的隔板，各所述隔板分别覆盖有第三冷却件；各所述隔板上分别设有第一通孔，所述第一通孔与所述缺口连通，且用于流通所述第二冷却件。

2.根据权利要求1所述的功率半导体结构，其特征在于，所述第一金属层还设有第二通孔，所述第二通孔用于穿过所述芯片门极线的第二端；

所述第二通孔的表面设有绝缘外包层。

3.根据权利要求1所述的功率半导体结构，其特征在于，所述第一金属组件层包括第三金属层，以及设于所述第三金属层上的第四金属层；

所述第四金属层上设有所述第一冷却件。

4.根据权利要求3所述的功率半导体结构，其特征在于，所述第三金属层和所述第二金属层均为铜金属层；

所述第四金属层和所述第一金属层均为钼金属层；

所述半导体芯片为硅基IGCT芯片。

5.根据权利要求1所述的功率半导体结构，其特征在于，所述第一冷却件为石墨烯结构；所述第二冷却件为相变材料结构；所述第三冷却件为石墨烯结构。

6.根据权利要求5所述的功率半导体结构，其特征在于，所述第一冷却件为单层石墨烯结构或多层石墨烯结构。

7.根据权利要求5所述的功率半导体结构，其特征在于，所述相变材料结构为固体相变材料结构、液体相变材料结构、固液相变材料结构或固固相变材料结构。

8.一种断路器转移支路组件，其特征在于，包括权利要求1至7任意一项所述的功率半导体结构。