[发明专利]半导体装置

说明书

公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口空间地连接到第一开口并且暴露钝化层的部分。凸块结构包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。

本申请要求于2020年3月27日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0037698号韩国专利申请和于2020年6月30日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0080050号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明构思涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种包括凸块结构的半导体装置。

背景技术

已经迅速开发了半导体装置以增加电极端子的数量并且减小电极端子之间的节距。随之而来，对减小半导体装置的尺寸已经进行了越来越多的研究。半导体装置通常具有用于与其它电子装置或印刷电路板电连接的电连接端子(诸如焊球或凸块)。半导体装置受益于具有高度可靠的连接端子。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有增大的耐久性和可靠性的半导体装置。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；钝化层，位于半导体基底的第一表面上，钝化层具有暴露导电垫的部分的第一开口；有机介电层，位于钝化层上，有机介电层具有第二开口；以及凸块结构，位于导电垫上并且位于第一开口和第二开口中。有机介电层可以包括与钝化层的材料不同的材料。第二开口可以空间地连接到第一开口，并且可以暴露钝化层的部分。凸块结构可以包括与钝化层和有机介电层接触的柱图案。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括：半导体基底；导电垫，位于半导体基底的第一表面上；含硅层，位于半导体基底的第一表面上并且暴露导电垫的部分；聚合物层，位于含硅层上并且暴露含硅层的部分和导电垫的部分；柱图案，位于导电垫上并且与含硅层和聚合物层接触；以及焊料图案，位于柱图案上。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括：半导体基底；电路层，位于半导体基底上；导电垫，位于电路层上；含硅层，位于导电垫上，含硅层具有第一开口；聚合物层，位于含硅层上，聚合物层具有第二开口；以及凸块结构，设置在导电垫上。电路层可以包括：集成电路，位于半导体基底的第一表面上；介电层，位于半导体基底的第一表面上，介电层覆盖集成电路；以及互连结构，位于介电层中，互连结构结合到集成电路，互连结构包括布线图案和过孔图案。第一开口可以暴露导电垫的部分和含硅层的内壁。第二开口可以空间地连接到第一开口并且可以暴露含硅层的顶表面。凸块结构可以包括：柱图案，位于第一开口和第二开口中并且与导电垫、含硅层的内壁和暴露的顶表面以及聚合物层的内壁和顶表面接触；以及焊料图案，位于柱图案上。柱图案可以包括：种子图案，与导电垫接触；以及导电图案，位于种子图案上。

附图说明

图1A例示了示出根据一些示例实施例的半导体装置的剖视图。

图1B例示了示出根据一些示例实施例的半导体装置中包括的柱图案的平面图。

图1C例示了沿着图1B的线II-III截取的与图1A的部分I对应的放大剖视图。

图2A例示了示出根据一些示例实施例的半导体装置的凸块结构的剖视图。

图2B例示了示出根据一些示例实施例的半导体装置的凸块结构的剖视图。

图2C例示了示出根据一些示例实施例的半导体装置的钝化层的剖视图。

图2D例示了示出根据一些示例实施例的半导体装置的钝化层的剖视图。