[发明专利]集成芯片和形成集成芯片的方法

说明书

在一些实施例中，本发明涉及形成集成芯片的方法。方法可以通过在形成在衬底上方的介电结构上形成接合焊盘层实施。介电结构围绕多个互连层。在接合焊盘层上形成保护层，并且图案化接合焊盘层和保护层以限定由保护层覆盖的接合焊盘。在保护层上方形成一个或多个上部钝化层。实施干蚀刻工艺以形成穿过一个或多个上部钝化层延伸至保护层的开口。实施湿蚀刻工艺以去除保护层的一部分并且暴露接合焊盘的上表面。本申请的实施例还涉及集成芯片。

技术领域

本申请的实施例涉及集成芯片和形成集成芯片的方法。

背景技术

集成芯片制造是复杂的多步骤工艺，工艺期间在由半导体材料(例如，硅)制成的晶圆上形成电子电路。集成芯片制造可以大致分为前段制程(FEOL)工艺和后段制程(BEOL)工艺。FEOL工艺通常涉及在半导体材料内形成器件(例如，晶体管)，而BEOL工艺通常涉及在半导体材料上方的介电结构内形成导电互连层。在完成BEOL工艺之后，形成接合焊盘，并且然后可以将晶圆分割(例如，切成小块)以形成多个单独的集成芯片管芯。

发明内容

本申请的一些实施例提供了一种形成集成芯片的方法，包括：在形成在衬底上方的介电结构上形成接合焊盘层，其中，所述介电结构围绕多个互连层；在所述接合焊盘层上形成保护层；图案化所述接合焊盘层和所述保护层以限定由所述保护层覆盖的接合焊盘；在所述保护层上方形成一个或多个上部钝化层；实施干蚀刻工艺以形成穿过所述一个或多个上部钝化层延伸至所述保护层的开口；以及实施湿蚀刻工艺以去除所述保护层的一部分并且暴露所述接合焊盘的上表面。

本申请的另一些实施例提供了一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底上方形成接合焊盘层；在所述接合焊盘层上形成保护层；图案化所述接合焊盘层和所述保护层以限定由所述保护层覆盖的接合焊盘；在所述保护层上方形成一个或多个上部钝化层；蚀刻所述一个或多个上部钝化层以暴露所述保护层的上表面；实施湿蚀刻工艺以从所述接合焊盘的上表面去除所述保护层的一部分；以及在实施所述湿蚀刻工艺之后，在所述接合焊盘上方形成导电凸块。

本申请的又一些实施例提供了一种集成芯片，包括：多个互连层，设置在衬底上方的介电结构内；接合焊盘，设置在所述介电结构上方；一个或多个上部钝化层，设置在所述介电结构和所述接合焊盘上方，其中，所述一个或多个上部钝化层包括限定所述接合焊盘正上方的开口的一个或多个侧壁；以及保护层，包括直接设置在所述一个或多个上部钝化层和所述接合焊盘之间的金属，所述金属具有进一步限定所述开口的一个或多个侧壁。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了具有配置为提高接合焊盘的可靠性的保护层的集成芯片的一些实施例的截面图。

图2A至图2B示出了具有配置为提高接合焊盘的可靠性的保护层的集成芯片的额外的实施例。

图3A至图3B示出了设置在接合焊盘上的保护层的一些额外的实施例的截面图。

图4示出了具有配置为提高接合焊盘的可靠性的保护层的集成芯片的一些额外的实施例的截面图。

图5示出了具有配置为提高接合焊盘的可靠性的保护层的集成芯片的一些额外的实施例的截面图。

图6至图16示出了形成具有配置为提高接合焊盘的可靠性的保护层的集成芯片结构的方法的一些实施例的截面图。

图17示出了形成具有配置为提高接合焊盘的可靠性的保护层的集成芯片结构的方法的一些实施例的流程图。

具体实施方式