[发明专利]集成芯片和形成集成芯片的方法

权利要求书

1.一种形成集成芯片的方法，包括：

在形成在衬底上方的介电结构上形成接合焊盘层，其中，所述介电结构围绕多个互连层；

在所述接合焊盘层上形成保护层；

图案化所述接合焊盘层和所述保护层以限定由所述保护层覆盖的接合焊盘；

在所述保护层上方形成一个或多个上部钝化层；

实施干蚀刻工艺以形成穿过所述一个或多个上部钝化层延伸至所述保护层的开口；以及

实施湿蚀刻工艺以去除所述保护层的一部分并且暴露所述接合焊盘的上表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述干蚀刻工艺使用具有包括氟的蚀刻化学物质的干蚀刻剂。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述湿蚀刻工艺横向蚀刻所述保护层，使得所述保护层横向凹进越过所述一个或多个上部钝化层的侧壁。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在图案化所述接合焊盘层和所述保护层之前，在所述保护层上方形成掩模层；

在所述掩模层上方形成第一掩模层；以及

根据所述第一掩模层，蚀刻所述掩模层、所述保护层和所述接合焊盘层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在完成所述湿蚀刻工艺之后，所述掩模层悬在所述保护层的侧壁和所述掩模层的侧壁之间的间隔上方。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述干蚀刻工艺在所述一个或多个上部钝化层的一个或多个侧壁上形成金属副产物；并且

其中，所述湿蚀刻工艺从所述一个或多个上部钝化层的所述一个或多个侧壁去除所述金属副产物。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述湿蚀刻工艺形成进一步限定所述接合焊盘上方的所述开口的所述保护层的侧壁。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层包括氮化钛。

9.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上方形成接合焊盘层；

在所述接合焊盘层上形成保护层；

图案化所述接合焊盘层和所述保护层以限定由所述保护层覆盖的接合焊盘；

在所述保护层上方形成一个或多个上部钝化层；

蚀刻所述一个或多个上部钝化层以暴露所述保护层的上表面；

实施湿蚀刻工艺以从所述接合焊盘的上表面去除所述保护层的一部分；以及

在实施所述湿蚀刻工艺之后，在所述接合焊盘上方形成导电凸块。

10.一种集成芯片，包括：

多个互连层，设置在衬底上方的介电结构内；

接合焊盘，设置在所述介电结构上方；

一个或多个上部钝化层，设置在所述介电结构和所述接合焊盘上方，其中，所述一个或多个上部钝化层包括限定所述接合焊盘正上方的开口的一个或多个侧壁；以及

保护层，包括直接设置在所述一个或多个上部钝化层和所述接合焊盘之间的金属，所述金属具有进一步限定所述开口的一个或多个侧壁。