[发明专利]处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统

说明书

提供一种处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统，用于处理半导体晶圆的方法包括在一晶圆承载台的一顶表面上装载一半导体晶圆。该方法亦包括经由一第一气体入口端口及一第二气体入口端口在该半导体晶圆与该晶圆承载台的该顶表面之间供应一气态材料，该第一气体入口端口及该第二气体入口端口位于该顶表面的一扇状区段下方。该方法进一步包括将一流体介质供应至该晶圆承载台的一流体入口端口且引导来自该流体入口端口的该流体介质以流经位于该顶表面的该扇状区段下方的许多弧状通道。另外，该方法包括在该半导体晶圆上方供应一电浆气体。

技术领域

本揭露有关于处理半导体晶圆的方法与晶圆制造系统。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业已经历指数增长。IC材料及设计的技术进步已产生多个世代的IC，其中每一世代具有比先前世代更小且更复杂的电路。在IC进化的过程中，尽管几何大小(即，使用制程可产生的最小组件(或线))已减小，但功能密度(即，每单位晶片面积的互连装置的数目)已大体上增大。此尺度缩小程序通常通过提高生产效率及降低相关联成本来提供益处。此尺度缩小亦已增大处理及制造IC的复杂度。

制造半导体时所使用的一些制程步骤包括氧化、扩散、掺杂、退火、蚀刻及膜沉积。膜沉积是用于在半导体晶圆上生产或沉积材料薄膜的反应程序，该些材料薄膜包括，但不限于，金属、二氧化硅、钨、氮化硅、氧氮化硅及各种介电质。通过膜沉积在半导体晶圆上沉积的膜的均匀性不令人满意可不利地影响半导体装置的功能。

尽管用于在晶圆上生产或沉积材料薄膜的现有装置及方法大体上足够适合这些装置及方法的预期目的，但这些装置及方法在各个方面尚未令人完全满意。因此，将需要提供用于形成供晶圆制造系统中使用的薄膜的解决方法。

发明内容

根据一些实施例，提供一种用于处理半导体晶圆的方法，包括在晶圆承载台的顶表面上装载半导体晶圆。方法亦包括经由第一气体入口端口及第二气体入口端口在半导体晶圆与晶圆承载台的顶表面之间供应气态材料，第一气体入口端口及第二气体入口端口位于顶表面的扇状区段下方。方法进一步包括将流体介质供应至晶圆承载台的流体入口端口且引导来自流体入口端口的流体介质以流经位于顶表的扇状区段下方的许多弧状通道。另外，方法包括在半导体晶圆上方供应电浆气体。

根据一些实施例，提供一种用于处理半导体晶圆的方法。方法包括在晶圆承载台的顶表面上装载半导体晶圆。方法亦包括经由晶圆承载台的气体入口端口在半导体晶圆与晶圆承载台的顶表面之间供应气态材料。方法进一步包括将流体介质供应至晶圆承载台的流体入口端口且引导来自流体入口端口的流体介质以流经第一弧状通道及第二弧状通道，第一弧状通道及第二弧状通道位于气体入口端口的相对侧处。第二弧状通道比第一弧状通道更接近晶圆承载台的中心而定位，且来自流体入口端口的流体介质在流经第二弧状通道之前流经第一弧状通道。另外，方法包括在半导体晶圆上方供应电浆气体。

根据一些实施例，提供一种用于处理半导体晶圆的晶圆制造系统。晶圆制造系统包括晶圆承载台，晶圆承载台具有顶表面。许多孔形成于顶表面上。晶圆制造系统亦包括气体入口端口，气体入口端口形成于晶圆承载台中且位于顶表面的扇状区段下方。气体入口端口与孔流体地连通。晶圆制造系统进一步包括形成于晶圆承载台中的流体入口端口、第一弧状通道及第二弧状通道。第一弧状通道及第二弧状通道与流体入口端口流体地连通。第一弧状通道及第二弧状通道位于顶表面的扇状区段下方且位于气体入口端口的相对侧处。另外，晶圆制造系统包括气源及含流体的源。气源流体地连接至气体入口端口，且含流体的源流体地连接至流体入口端口。

附图说明

在结合附图阅读时自以下详细描述最佳地理解本揭露的态样。请注意，根据产业中的标准规程，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1根据一些实施例展示晶圆制造系统的示意图；

图2根据一些实施例展示沿着图1的线A-A截取的晶圆承载台的横截面图；