[发明专利]半导体封装、电子装置和用于制造半导体封装的方法在审
| 申请号: | 202080060743.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN114450794A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
| 发明(设计)人: | 大塚恭史 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 电子 装置 用于 制造 方法 | ||
一种半导体封装,其中半导体元件连接到衬底,防止半导体元件翘曲。该半导体封装包括衬底、半导体元件、接合部分和突起。在该半导体封装中,导线的第一端连接到衬底的表面。导线的另一端连接到半导体元件的两个表面中的一个表面。接合部分将半导体元件的两个表面中的另一表面的一部分粘合到衬底的表面。突起从衬底的表面向半导体元件的两个表面中的另一表面的剩余部分突出。
技术领域
本技术涉及半导体封装。具体地,本技术涉及固态成像元件通过导线连接到的半导体封装、电子装置和用于制造半导体封装的方法。
背景技术
在现有技术中,为了便于处理半导体集成电路和其他目的,人们使用了将设置有半导体集成电路的半导体芯片安装在衬底上并密封的半导体封装。例如,已经提出了一种具有中空结构的半导体封装,其中半导体元件通过导线电连接到衬底,并通过带有α射线屏蔽膜的玻璃密封(例如,参见专利文献1)。此外,在半导体封装中,用粘合剂将半导体元件的相对表面中的一面的整个粘合到衬底。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP 2011-114266A。
发明内容
[技术问题]
在上述半导体封装中,α射线屏蔽膜被附着到玻璃上以屏蔽α射线,从而减少由α射线在半导体元件中造成的晶格缺陷。然而,在上述半导体封装中,在衬底包含具有不同热膨胀系数的多个层的情况下,温度的变化可能导致衬底翘曲。存在一个问题,即翘曲的衬底也使半导体元件翘曲,因为半导体元件的整个表面接合到衬底。具体地,在半导体元件是固态成像元件的情况下,翘曲使图像表面畸变,降低图像数据的图像质量。
鉴于这种情况,本技术的目的是防止半导体元件与衬底连接到的半导体封装中半导体元件发生翘曲。
[问题的解决方案]
已经开发本技术以解决上述问题,并且第一方面提供了一种半导体封装,包括:衬底,包括前表面,导线的第一端连接到该前表面;半导体元件,其包括两个相对表面,导线的第二端连接到该相对表面的一个表面;接合部分,将相对表面的另一表面的一部分与衬底的前表面相接合;以及突起,从衬底的前表面向另一表面的剩余部分突出。这在防止半导体元件翘曲方面是有效的。
此外,在第一方面中,接合部分可以将另一表面的中央部分与衬底的前表面相接合。这具有防止半导体元件翘曲的效果。
此外,在第一方面,突起可以形成为岛状。这具有通过岛状突起接收载荷的效果。
此外,在第一方面中,半导体元件可以形状为矩形,并且突起可以分别沿着矩形的多个边线性地形成。这具有通过线性突起接收载荷的效果。
此外,在第一方面中,突起可以沿着半导体元件的外周形成为框状。这具有通过框状突起接收载荷的效果。
此外,在第一方面中,半导体元件可以是固态成像元件。这具有提高图像数据的图像质量的效果。
此外,本技术的第二方面提供了一种电子装置,包括:衬底,包括前表面,导线的第一端连接到该前表面;半导体元件,包括两个相对表面,导线的第二端连接到该相对表面中的一个表面;接合部分,将相对表面中的另一表面的一部分与衬底的前表面相接合;突起,从衬底的前表面向另一表面的剩余部分突出;以及处理部,处理由半导体元件生成的信号。这具有处理来自防止翘曲的半导体元件的信号的效果。
此外,本技术的第三方面提供了一种用于制造半导体封装的方法,该方法包括:衬底制造步骤,制造在前表面上设置有突起的衬底;以及连接步骤,将衬底的前表面与半导体元件的两个相对表面中的一个表面的一部分相接合,并且用导线将相对表面中的另一个表面与衬底的前表面连接。这在接合半导体元件的一部分和衬底的前表面,制造具有突起的半导体封装方面是有效的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





