[发明专利]半导体封装、电子装置和用于制造半导体封装的方法在审
| 申请号: | 202080060743.1 | 申请日: | 2020-06-17 |
| 公开(公告)号: | CN114450794A | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
| 发明(设计)人: | 大塚恭史 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 封装 电子 装置 用于 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装,包括:
衬底,包括前表面,导线的第一端连接到所述前表面;
半导体元件,包括两个相对表面,所述导线的第二端连接到所述相对表面中的一个表面;
接合部分,将所述相对表面中的另一表面的一部分与所述衬底的所述前表面相接合;以及
突起,从所述衬底的所述前表面向所述另一表面的剩余部分突出。
2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,
所述接合部分将所述另一表面的中央部分与所述衬底的所述前表面相接合。
3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,
所述突起形成岛状。
4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,
所述半导体元件形状为矩形,以及
所述突起分别沿着所述矩形的多个边线性地形成。
5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,
所述突起沿着所述半导体元件的外周形成为框。
6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,
所述半导体元件为固态成像元件。
7.一种电子装置,包括:
衬底,包括前表面,导线的第一端连接到所述前表面;
半导体元件,包括两个相对表面,所述导线的第二端连接到所述相对表面中的一个表面;
接合部分,将所述相对表面中的另一表面的一部分与所述衬底的所述前表面相接合;
突起,从所述衬底的所述前表面向所述另一表面的剩余部分突出;以及
处理部,处理由所述半导体元件生成的信号。
8.一种用于制造半导体封装的方法,所述方法包括:
衬底制造步骤,制造在前表面上设置有突起的衬底;以及
连接步骤,将所述衬底的所述前表面与半导体元件的两个相对表面中的一个表面的一部分相接合,并且用导线将所述相对表面中的另一个表面与所述衬底的所述前表面连接。
9.根据权利要求8所述的用于制造半导体封装的方法,其中,
在所述衬底制造步骤中,当形成所述衬底的布线图案时设置所述突起。
10.根据权利要求8所述的用于制造半导体封装的方法,其中,
在所述衬底制造步骤中,在制造所述衬底之后在所述衬底上设置所述突起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





