[发明专利]包括与成形金属体电连接的半导体本体的半导体模块及其获得方法在审
| 申请号： | 202080034162.0 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113811992A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 安德烈·巴斯托斯阿比贝;弗兰克·奥斯特瓦尔德;亚采克·鲁茨基;马丁·贝克尔;罗纳德·艾泽勒;戴维·本宁 | 申请（专利权）人： | 丹佛斯硅动力有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/49;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/607;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈明 |
| 地址： | 德国弗*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 成形 金属 连接 半导体 本体 模块 及其 获得 方法 | ||
1.一种半导体模块，该半导体模块包括半导体，并且包括与该半导体电接触的成形金属体，用于形成用于电导体的接触表面，
其特征在于，
该成形金属体被弯曲或折叠。
2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，该成形金属体被多次弯曲或多次折叠。
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该成形金属体是波状的。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该成形金属体由铝(Al)或铜(Cu)组成。
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该成形金属体通过烧结连接到该半导体。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该成形金属体通过粘接连接到该半导体。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该成形金属体通过焊接连接到该半导体。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该成形金属体通过纳米线连接到该半导体。
9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该电导体是引线框架或条带。
10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体模块，其特征在于，该半导体至少部分地由碳化硅(SiC)生产而成。
11.一种用于在半导体上建立电导体的电接触的方法，所述方法包括以下步骤：
-通过第一紧固方法将具有恒定厚度的弯曲的或折叠的成形金属体紧固到该半导体，
-通过第二紧固方法将该电导体紧固到该成形金属体。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该第一紧固方法是烧结。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该第一紧固方法是通过纳米线。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，其特征在于，该第二紧固方法是热超声接合或超声波接合。
15.根据权利要求11至13中任一项所述的方法，其特征在于，该第二紧固方法是通过纳米线。
16.根据权利要求11和15中任一项所述的方法，其特征在于，该电导体是引线框架或条带。
17.根据权利要求11和16中任一项所述的方法，其特征在于，该半导体至少部分地由碳化硅(SiC)生产而成。
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