[实用新型]一种塑料封装外壳

说明书

本实用新型提供了一种塑料封装外壳，包括塑料框架、金属引线和金属热沉。所述塑料框架由塑料侧墙围设成环状，所述塑料侧墙具有相对设置的内壁和外壁；所述金属引线塑封设置在所述塑料侧墙上，所述金属引线贯通所述塑料侧墙预设区域的内壁和外壁、且一端伸入至所述塑料框架内用于键合芯片、另一端伸出所述塑料框架外用于连接外部电路；所述金属热沉固定于所述塑料框架的下部；所述塑料侧墙与所述金属热沉围合成顶面开窗的腔体。本实用新型采用塑料框架为封装外壳的主体，半导体器件直接固定在金属热沉的表面，一方面提高了半导体器件的热阻抗，另一方面节约率生产成本，提高了生产效率，易于大规模生产。

技术领域

本实用新型属于半导体封装技术领域，具体涉及一种塑料封装外壳。

背景技术

LDMOS芯片(laterally-diffused metal-oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)及GaN芯片制作的器件均为高频大功率晶体管，应用于无线通信基站中的功率放大组件，是提升基站中射频功率信号的关键部件。热阻抗对于高频大功率晶体管是一个非常重要的参数，但是现有的封装技术如：陶瓷外壳封装和灌封，散热性能较差，生产工艺较复杂，已难以满足LDMOS芯片和GaN 芯片等半导体器件在散热方面的需求，亟待开发一种高热导率、且生产工艺相对简单、易于实现大规模生产的封装外壳。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种塑料封装外壳，其采用塑料侧墙替代了陶瓷侧墙，形成气密性封装外壳，在满足气密封装的同时，节约制作成本，提高了生产效率。

为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种塑料封装外壳，包括：

塑料框架，由塑料侧墙围设成环状，所述塑料侧墙具有相对设置的内壁和外壁；

金属引线，塑封设置在所述塑料侧墙上，所述金属引线贯通所述塑料侧墙预设区域的内壁和外壁、且一端伸入至所述塑料框架内用于键合芯片、另一端伸出所述塑料框架外用于连接外部电路；

金属热沉，固定于所述塑料框架的下部；

所述塑料侧墙与所述金属热沉围合成顶面开窗的腔体。

本申请实施例提供的封装外壳由塑料框架的侧墙和金属热沉围成安装器件的腔体，器件直接安装在金属热沉上，提高了器件的散热性能，采用一体成型的塑料框架可降低生产难度，节约生产成本，提高生产效率。

在一种可能的实现方式中，所述塑料侧墙包括整体成型上侧墙和下侧墙，上、下侧墙之间在围成的所述塑料框架内侧呈台阶设置，所述金属引线的一端设置在所述台阶上。

在一种可能的实现方式中，所述金属引线与所述塑料框架的塑封面上设有用于所述上、下侧墙相互连接和熔合的通孔。

在一种可能的实现方式中，所述金属引线与所述塑料框架的塑封面上还加工有微坑，在所述金属引线与所述上、下侧墙之间形成微观的互锁结构。

在一种可能的实现方式中，所述微坑的直径小于等于1微米，深度大于等于1微米。

在一种可能的实现方式中，所述塑料框架通过注塑工艺一体成型，在用于与注塑流道连通的两侧墙上设有向内凹的工艺槽，所述工艺槽的宽度与所述注塑流道相适配、并贯通相应塑料侧墙的上下表面。

在一种可能的实现方式中，所述塑料框架通过注塑工艺一体成型，在用于与注塑流道相通的两侧面上设有向内凹的工艺槽，所述工艺槽的宽度与所述流道相适配、并贯通所述下侧墙的上下表面。

在一种可能的实现方式中，所述塑料框架通过注塑工艺一体成型，在所述塑料框架的底面设有用于将成型后的塑料框架顶出的凸台或凹坑。

在一种可能的实现方式中，所述塑料侧墙的纵切面底部尺寸较小、顶部尺寸较大，侧壁为倾斜面。