[实用新型]一种重新布线的晶圆级封装结构

说明书

本实用新型提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层，衬底表面具有多个引出电极，引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接，钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出引出电极的第一开口，第一重新布线金属层通过第一开口与引出电极电连接，第一有机绝缘层具有暴露出第一重新布线金属层的第二开口，第二重新布线金属层通过第二开口与第一重新布线金属层电连接。由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面，因此，可以直接在钝化层表面形成第一重新布线金属层，从而可以取消钝化层表面的有机绝缘层，进而可以节省材料，降低封装成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种重新布线的晶圆级封装结构。

背景技术

随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术正在向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。芯片封装工艺也由逐个芯片封装向晶圆片级规模封装转变，而晶圆片级规模封装简称晶圆级芯片封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)因具有高密度、体积小、可靠性高和电热性能优良等优点且满足封装工艺的发展要求，而逐渐成为目前最先进也是最重要的封装形式之一。

为了使得芯片适用于不同的封装形式，现有的晶圆级封装结构都是采用重新布线技术对芯片线路的接点位置进行了改变。目前，晶圆级封装结构的重新布线层主要为2P2M结构，如图1所示，该重新布线的晶圆级封装结构包括衬底11、位于衬底11上的金属互连层12、钝化层13、第一有机绝缘层14、第一重新布线金属层15、第二有机绝缘层16、第二重新布线金属层17和锡球18，其中，金属互联层12包括依次位于衬底11上的次顶层金属互连层和顶层金属互连层。但是，由于该重新布线的晶圆级封装结构采用了两层金属和两层有机绝缘层来进行重新布线，一方面会影响适用范围，另一方面会导致封装结构的封装成本较高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，以降低现有的重新布线的晶圆级封装结构的封装成本。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种重新布线的晶圆级封装结构，包括：

衬底，所述衬底内集成有多个待封装的芯片，所述衬底表面具有多个引出电极，所述引出电极与对应的待封装的芯片电连接；

位于所述衬底表面的钝化层，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有第一开口，所述第一开口暴露出所述引出电极，所述钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面；

位于所述钝化层表面的第一重新布线金属层，所述第一重新布线金属层通过所述第一开口与所述引出电极电连接；

位于所述第一重新布线金属层表面的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一重新布线金属层；

位于所述第一有机绝缘层表面的第二重新布线金属层，所述第二重新布线金属层通过所述第二开口与所述第一重新布线金属层电连接。

可选地，还包括锡球，所述锡球固定在所述第二重新布线金属层表面，且与所述第二重新布线金属层电连接。

可选地，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有多个第一开口，所述多个第一开口均匀排布。

可选地，所述第一开口在所述衬底上的投影的形状为方形；

所述方形的最短边长为2um～3um。

可选地，所述第一重新布线金属层的材料的电阻率小于铝材料的电阻率。

可选地，所述第一重新布线金属层的材料为铜；

所述第二重新布线金属层的材料为铜。