[实用新型]一种重新布线的晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 202022353831.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN212874486U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 于龙杰;殷昌荣 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李婷婷 |
| 地址： | 201199 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 重新 布线 晶圆级 封装 结构 | ||
1.一种重新布线的晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底内集成有多个待封装的芯片，所述衬底表面具有多个引出电极，所述引出电极与对应的待封装的芯片电连接；
位于所述衬底表面的钝化层，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有第一开口，所述第一开口暴露出所述引出电极，所述钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面；
位于所述钝化层表面的第一重新布线金属层，所述第一重新布线金属层通过所述第一开口与所述引出电极电连接；
位于所述第一重新布线金属层表面的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层具有第二开口，所述第二开口暴露出所述第一重新布线金属层；
位于所述第一有机绝缘层表面的第二重新布线金属层，所述第二重新布线金属层通过所述第二开口与所述第一重新布线金属层电连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，还包括锡球，所述锡球固定在所述第二重新布线金属层表面，且与所述第二重新布线金属层电连接。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述钝化层覆盖所述引出电极的部分具有多个第一开口，所述多个第一开口均匀排布。
4.根据权利要求3所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一开口在所述衬底上的投影的形状为方形；
所述方形的最短边长为2um～3um。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一重新布线金属层的材料的电阻率小于铝材料的电阻率。
6.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述第一重新布线金属层的材料为铜；
所述第二重新布线金属层的材料为铜。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述引出电极包括一层或多层次顶层金属互联层。
8.根据权利要求7所述的晶圆级封装结构，其特征在于，所述次顶层金属互连层的材料为铝。
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