[实用新型]一种引线框架结构及芯片封装结构

说明书

本实用新型公开一种引线框架结构及芯片封装结构，该引线框架结构包括：结合区，其用于给结合层提供结合区域；结合区设有粗糙区，粗糙区内设有若干间隔设置的凹部，凹部用于给结合层的结合材料提供填充空间；焊线区，其用于与金属线电连接；该芯片封装结构包括上述引线框架结构，还包括：芯片；结合层，芯片通过结合层固定于结合区；结合层的结合材料填充于凹部内；金属线，其一端焊接于芯片，另一端焊接于焊线区；本实用新型的引线框架结构在使用时，可避免结合层析出物附着于焊线区；本实用新型的芯片封装结构能够避免结合层析出物附着于焊线区，以提高金属线的焊接品质。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种引线框架结构及芯片封装结构。

背景技术

引线框架是集成电路的芯片载体。在半导体芯片封装结构中，芯片一般通过结合材料焊接固定于引线框架；另外，芯片上的焊接点一般通过金属线与所述引线框架的焊线区进行电连接。

但是，如图1所示，现有的芯片封装结构100中，在芯片20焊接结合于引线框架10时，结合材料需要在高温下进行固化反应，以形成结合层30，以将芯片20焊接固定于引线框架10上；但是结合材料在固化形成结合层30时，反应时会有小分子的析出物90析出，并附着于焊线区12上，导致金属线40与焊线区12之间的焊接不稳定，容易出现焊线不良的情况。

实用新型内容

本实用新型实施例的一个目的在于：提供一种引线框架结构，其在用于芯片封装结构时，其可避免结合层析出物附着于焊线区。

本实用新型实施例的另一个目的在于：提供一种芯片封装结构，其可避免结合层析出物附着于焊线区。

本实用新型的实施例的再一个目的在于：提供一种芯片封装结构，其能够提高金属线的焊接品质。

为达上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种引线框架结构，包括：

结合区，其用于给结合层提供结合区域；所述结合区设有粗糙区，所述粗糙区内设有若干间隔设置的凹部，所述凹部用于给结合层的结合材料提供填充空间；

焊线区，其用于与金属线电连接。

作为优选，所述粗糙区还包括若干凸部。

作为优选，所述结合区还包括围绕于所述粗糙区的外部的平整区，所述粗糙区相对所述平整区凹陷。

一种芯片封装结构，包括上述的引线框架结构，还包括：

芯片；

结合层，所述芯片通过所述结合层固定于所述结合区；所述结合层的结合材料填充于所述凹部内；

金属线，其一端焊接于所述芯片，另一端焊接于所述焊线区，以将所述芯片与所述引线框架进行电连接。

作为优选，在所述芯片封装结构的厚度方向上，所述粗糙区的投影与所述芯片的投影完全重合，或所述粗糙区的投影位于所述芯片的投影内。

作为优选，所述粗糙区的投影位于所述芯片的投影内；所述粗糙区的投影面积占所述芯片的投影面积的50％以上。

作为优选，所述引线框架包括框架基体和覆盖于所述框架基体表面的阻焊绿油层，所述阻焊绿油层的表面区域为所述结合区。

作为优选，所述阻焊绿油层还包括防析凸环部或防析凹环部，在所述芯片封装结构的厚度方向上，在所述芯片封装结构的厚度方向上，所述芯片的投影位于所述防析凸环部或所述防析凹环部内。

作为优选，所述结合层的结合材料包括导电的银浆和不导电的树脂材料。

作为优选，还包括封装体，所述封装体包覆所述芯片、所述结合层、所述引线框架和所述金属线。