[实用新型]一种QFN封装芯片

说明书

本实用新型提供一种QFN封装芯片，包括：PCB板；表贴在所述PCB板上的电子元器件；金属外壳，所述金属外壳为开口结构，用于包覆所述电子元器件，所述金属外壳的开口位置与所述PCB板之间固定连接，解决了现有技术中，QFN封装芯片的成本高，工艺复杂，可靠性不易控制的问题。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体涉及一种QFN封装芯片。

背景技术

QFN(Quad Flat No-lead Package，方形扁平无引脚封装)，QFN封装是表面贴装型封装之一。QFN封装具有体积小、重量轻、和优秀的电性能和热性能等特点，这种封装特别适对尺寸、重量和性能都有要求的DC-DC电源。

现有技术中，在制作QFN芯片时，需要先制作QFN芯片的引线框架，所述QFN芯片的引线框架如图1所示，然后再在所述引线框架表贴焊接器件，此时，所述QFN芯片的结构如图2a和图2b所示，其中图2a为俯视图，图2b为主视图，然后再进行注塑封装，注塑封装后的QFN芯片的结构如图3a和图3b所示，图3a为俯视图，图3b为主视图，最后，将所述QFN芯片分板成单个芯片，其成品结构如图4a、图4b和图4c所示，其中，所述图4a为单个芯片的俯视图，图4b为单个芯片的主视图，图4c为单个芯片的仰视图。

申请人经研究发现，现有的QFN芯片的封装过程存在如下缺点：

①、制作引线框架需要开发高精度的冲压或蚀刻模具，制作成本高周期长。引线框架在生产、加工使用过程易变形、存储要求高。

②、在引线框架上焊接器件需要使用高温焊料，高温焊料一般为铅或银胶，需要独立的生产线，高温焊料不满足无铅的要求。高温下器件易受热损坏，影响框架易桥接短路。

③、注塑封装过程需要专用的注塑设备和注塑模具，成本较高，工艺复杂。且注塑过程中，器件易受射流冲击而受损伤。

④、分板过程需要开发分板模具，成本高。分板过程中引线框架易受应力，进而导致器件受应力可靠性降低。

⑤、现有封装工艺使用塑封材料导热率低，散热性能不好。

综上所述，现有的QFN电源的封装工艺，成本高，工艺复杂，可靠性不易控制，设备模具费用投入较大等缺点。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种QFN封装芯片，以解决现有技术中QFN电源的封装工艺，成本高，工艺复杂，可靠性不易控制，设备模具费用投入较大的问题。

为实现上述目的，本实用新型实施例提供如下技术方案：

一种QFN封装芯片，包括：

PCB板；

表贴在所述PCB板上的电子元器件；

金属外壳，所述金属外壳为开口结构，用于包覆所述电子元器件，所述金属外壳的开口位置与所述PCB板之间固定连接。

可选的，上述QFN封装芯片中，所述金属外壳的材质为铝、铜合金或钢材质。

可选的，上述QFN封装芯片中，所述金属外壳的开口位置与所述PCB板之间通过粘接的方式实现固定连接。

可选的，上述QFN封装芯片中，所述金属外壳的开口位置与所述PCB板之间通过红胶工艺实现固定连接。

可选的，上述QFN封装芯片中，所述QFN封装芯片具体为QFN DC-DC电源封装芯片。