[发明专利]一种具有镀膜层的半导体

说明书

本发明公开了一种具有镀膜层的半导体，包括：半导体基底，所述半导体基底依次经过超声波预清洗和轰击清洗；位于所述半导体基底表面的类金刚石镀膜层，其中，所述类金刚石镀膜层通过采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜相应形成；以及，位于所述类金刚石镀膜层表面的氟离子掺杂层，其中，所述氟离子掺杂层通过采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在所述类金刚石镀膜层上掺杂氟离子相应形成。采用本发明的技术方案能够有效降低半导体表面产生的应力，并且减少半导体表面聚集的能量，从而改善半导体的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种具有镀膜层的半导体。

背景技术

随着半导体制造技术的发展，半导体电子元件的应用越来越广泛。为适应半导体电子元件的不同需求，半导体电子元件的表面有各种的设计和改进。例如，一些半导体电子元件为迎合低摩擦力的需求而将表面设计成光滑平坦，一些半导体为适应形状或兼容性而将设计成弧形表面。

对于一些与外界媒介相配合的半导体元件，因其内的电子元件如传感器、磁性元件十分灵敏、脆弱，故此在其表面覆盖一层保护膜，以使其免受外界的干扰，如静电荷、外部磁场等，该保护膜通常是绝缘的含碳保护膜。但是，对于含碳保护膜来讲，硅原子尺寸越大，半导体表面产生的应力越大，并且其表面积累的能量越高，从而影响半导体性能。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于，提供一种具有镀膜层的半导体，能够有效降低半导体表面产生的应力，并且减少半导体表面聚集的能量，从而改善半导体的性能。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种具有镀膜层的半导体，包括：

半导体基底，所述半导体基底依次经过超声波预清洗和轰击清洗；

位于所述半导体基底表面的类金刚石镀膜层，其中，所述类金刚石镀膜层通过采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜相应形成；以及，

位于所述类金刚石镀膜层表面的氟离子掺杂层，其中，所述氟离子掺杂层通过采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在所述类金刚石镀膜层上掺杂氟离子相应形成。

进一步地，所述类金刚石镀膜层的厚度为12nm～30nm。

进一步地，所述氟离子掺杂层的厚度为2nm～6nm。

进一步地，所述半导体还包括位于所述氟离子掺杂层表面的氟离子层。

与现有技术相比，本发明实施例提供了一种具有镀膜层的半导体，包括半导体基底，所述半导体基底依次经过超声波预清洗和轰击清洗；位于所述半导体基底表面的类金刚石镀膜层，其中，所述类金刚石镀膜层通过采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜相应形成；以及，位于所述类金刚石镀膜层表面的氟离子掺杂层，其中，所述氟离子掺杂层通过采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在所述类金刚石镀膜层上掺杂氟离子相应形成；该半导体通过沉积的类金刚石镀膜层和氟离子掺杂层能够有效降低半导体表面产生的应力，并且减少半导体表面聚集的能量，从而改善半导体的性能。

附图说明

图1是本发明提供的一种具有镀膜层的半导体的一个优选实施例的截面图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种具有镀膜层的半导体，参见图1所示，是本发明提供的一种具有镀膜层的半导体的一个优选实施例的截面图，所述半导体包括：