[发明专利]一种具有镀膜层的半导体在审
| 申请号： | 202011573212.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114695504A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 余周 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 镀膜 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有镀膜层的半导体，其特征在于，包括：
半导体基底，所述半导体基底依次经过超声波预清洗和轰击清洗；
位于所述半导体基底表面的类金刚石镀膜层，其中，所述类金刚石镀膜层通过采用FCVA法，以0度角度在轰击清洗后的半导体基底上沉积类金刚石膜相应形成；以及，
位于所述类金刚石镀膜层表面的氟离子掺杂层，其中，所述氟离子掺杂层通过采用IBE或ECR刻蚀法，以四氟化碳作为掺杂气体在所述类金刚石镀膜层上掺杂氟离子相应形成。
2.如权利要求1所述的具有镀膜层的半导体，其特征在于，所述类金刚石镀膜层的厚度为12nm～30nm。
3.如权利要求1所述的具有镀膜层的半导体，其特征在于，所述氟离子掺杂层的厚度为2nm～6nm。
4.如权利要求1所述的具有镀膜层的半导体，其特征在于，所述半导体还包括位于所述氟离子掺杂层表面的氟离子层。
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