[发明专利]半导体零部件、等离子处理装置及耐腐蚀涂层的形成方法

权利要求书

1.一种在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，包括：

提供零部件本体；

在所述零部件本体的表面形成稀土氧化物涂层或者稀土氟化物涂层；

通入缺陷气体，在所述稀土氧化物涂层或稀土氟化物涂层的表面形成原子缺陷；

提供填充离子源，使填充离子源中的填充离子修饰所述原子缺陷，形成耐腐蚀涂层。

2.如权利要求1所述的在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，当在零部件本体的表面形成的为稀土氧化物涂层时，所述原子缺陷为氧缺陷，所述填充离子为卤素离子，所述缺陷气体包括：氢气或氩气中的至少一种。

3.如权利要求2所述的在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，当所述填充离子为氟离子时，填充离子源包括：氟化氢或者含氟溶液。

4.如权利要求1所述的在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，当在零部件本体的表面形成的为稀土氟化物涂层时，所述原子缺陷为氟缺陷，所述填充离子为氧离子，所述缺陷气体包括：氢气或氩气中的一种。

5.如权利要求2或4所述的在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，形成所述氧缺陷或氟缺陷的工艺参数包括：将稀土氧化物涂层或者稀土氟化物涂层置于氢气气氛下，并施加等离子轰击，等离子轰击的强度范围为0.3kW～50kW。

6.如权利要求2或4所述的在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，形成所述氧缺陷或氟缺陷的工艺参数包括：将稀土氧化物涂层或者稀土氟化物涂层置于真空环境下，真空度范围为10^-3mbar～10^-5mbar，并施加等离子轰击，等离子轰击的强度范围为0.3kW～50kW。

7.如权利要求1所述的在零部件本体表面形成耐腐蚀涂层的方法，其特征在于，所述稀土氧化物或稀土氟化物中的稀土元素包括：钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱或镥。

8.一种半导体零部件，其特征在于，包括：

零部件本体；

如权利要求1至权利要求7任一项所述方法形成的所述耐腐蚀涂层，其材料包括稀土氧化物或者稀土氟化物，位于所述零部件本体的表面，所述耐腐蚀涂层具有修饰面，所述修饰面具有原子缺陷，所述原子缺陷被填充离子修饰。

9.如权利要求8所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层的本征材料与修饰后耐腐蚀涂层的晶型相同。

10.如权利要求8所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层中具有原子缺陷的厚度范围为：0.5微米～100微米。

11.如权利要求8所述的半导体零部件，其特征在于，所述耐腐蚀涂层为结晶结构；所述耐腐蚀涂层中原子缺陷的浓度为：10³原子数/平方厘米～10⁷原子数/平方厘米。

12.一种等离子处理装置，其特征在于，包括：

反应腔；

如权利要求8至权利要求11任一项所述的半导体零部件，位于所述反应腔内。

13.如权利要求12所述的等离子处理装置，其特征在于，所述等离子环境中包含氟、氯、氧或氢等离子中的至少一种。

14.如权利要求12所述的等离子处理装置，其特征在于，所述等离子处理装置为等离子刻蚀装置或者等离子清洗装置。