[发明专利]封装结构和其制造方法

说明书

本公开涉及一种封装结构和制造方法。所述封装结构包含布线结构、第一电子设备、第二电子设备、保护材料和增强结构。所述第一电子设备和所述第二电子设备电连接到所述布线结构。所述保护材料安置在所述第一电子设备与所述布线结构之间和所述第二电子设备与所述布线结构之间。所述增强结构安置在所述第一电子设备和所述第二电子设备上并且接触所述第一电子设备和所述第二电子设备。所述增强结构接触所述保护材料。

技术领域

本公开涉及一种封装结构和制造方法，并且涉及一种包含增强结构的封装结构和用于制造所述封装结构的方法。

背景技术

在半导体组合件结构中，半导体封装结构安装到衬底，并且散热器附接到半导体封装结构的上表面，以耗散半导体封装中的一或多个半导体设备在操作期间产生的热。然而，当散热器附接到半导体封装结构时，压力可能从散热器传递到半导体封装结构。由于半导体封装结构的硬度或刚度相对较低，因此可能在半导体封装结构的上表面处形成裂纹。此外，在制造工艺期间，可以对半导体封装结构执行多个热工艺(例如，回流工艺)，这可能引起半导体封装结构的翘曲。因此，可能在半导体设备之间的模制原料(moldingcompound)和/或底部填料(underfill)中形成裂纹。这种裂纹可能延伸或生长到半导体封装结构的内部。如果裂纹到达衬底，则衬底中的电路部分可能损坏或断裂，这可能导致开路并使半导体封装结构无法运行。因此，半导体组合件结构的产率可能降低。

发明内容

在一些实施例中，一种封装结构包含布线结构、第一电子设备、第二电子设备、保护材料和增强结构。所述第一电子设备和所述第二电子设备电连接到所述布线结构。所述保护材料安置在所述第一电子设备与所述布线结构之间和所述第二电子设备与所述布线结构之间。所述增强结构安置在所述第一电子设备和所述第二电子设备上并且接触所述第一电子设备和所述第二电子设备。所述增强结构接触所述保护材料。

在一些实施例中，一种封装结构包含布线结构、第一电子设备、第二电子设备、保护材料、增强结构和缓冲结构。所述第一电子设备和所述第二电子设备电连接到所述布线结构。所述保护材料从所述第一电子设备与所述布线结构之间的第一空间延伸到所述第二电子设备与所述布线结构之间的第二空间。所述增强结构安置在所述第一电子设备和所述第二电子设备上。所述缓冲结构安置在所述增强结构与所述保护材料之间。

在一些实施例中，一种制造方法包含：(a)提供布线结构，其中所述布线结构包含至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层；(b)将第一电子设备和第二电子设备电连接到所述布线结构；(c)形成保护材料在所述第一电子设备与所述布线结构之间的第一空间和所述第二电子设备与所述布线结构之间的第二空间中，其中所述保护材料进一步延伸到所述第一电子设备与所述第二电子设备之间的间隙中；以及(d)形成增强结构在所述第一电子设备、所述第二电子设备和所述保护材料上。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的一些实施例的各方面。注意，各种结构可能未按比例绘制，并且为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种结构的尺寸。

图1展示了根据本公开的一些实施例的封装结构的俯视图。

图2展示了沿图1的封装结构的线2-2截取的截面视图。

图3展示了图2中的区域“A”的放大视图。

图4展示了沿图1的封装结构的线4-4截取的截面视图。

图5展示了根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的区域的放大视图。

图6展示了根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的区域的放大视图。

图7展示了根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的区域的放大视图。

图8展示了根据本公开的一些实施例的封装结构的实例的截面视图。