[发明专利]封装结构和其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011296027.1 申请日: 2020-11-18
公开(公告)号: CN112838060A 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 方绪南;叶勇谊 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/16 分类号: H01L23/16;H01L23/367;H01L23/373;H01L25/065;H01L25/16;H01L21/56
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 蕭輔寬
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种封装结构,其包括:

布线结构;

第一电子设备,其电连接到所述布线结构;

第二电子设备,其电连接到所述布线结构;

保护材料,其安置在所述第一电子设备与所述布线结构之间和所述第二电子设备与所述布线结构之间;以及

增强结构,其安置在所述第一电子设备和所述第二电子设备上并接触所述第一电子设备和所述第二电子设备,其中所述增强结构接触所述保护材料。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述增强结构的一部分延伸到所述第一电子设备与所述第二电子设备之间的间隙中。

3.根据权利要求2所述的封装结构,其中所述增强结构包含第一增强部分和第二增强部分,所述第一增强部分安置在所述第一电子设备和所述第二电子设备上并接触所述第一电子设备和所述第二电子设备,所述第二增强部分安置在所述间隙中。

4.根据权利要求2所述的封装结构,其中所述保护材料从所述第一电子设备与所述布线结构之间的第一空间延伸到所述第二电子设备与所述布线结构之间的第二空间,其中所述保护材料进一步延伸到所述第一电子设备与所述第二电子设备之间的所述间隙中。

5.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述增强结构接触所述布线结构。

6.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述增强结构进一步接触所述第一电子设备的侧表面和所述第二电子设备的侧表面。

7.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述增强结构是整体式结构。

8.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述保护材料的上表面与所述第一电子设备的第二表面和所述第二电子设备的第二表面基本上共面。

9.根据权利要求8所述的封装结构,其中所述保护材料在其上表面上具有至少一个裂纹,并且所述增强结构的一部分延伸到所述裂纹中。

10.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述布线结构具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面和在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的侧表面,所述第一电子设备和所述第二电子设备安置在所述布线结构的所述第一表面附近,所述封装结构进一步包括:第三电子设备,所述第三电子设备安置在所述布线结构的所述第二表面附近;以及封装体,所述封装体覆盖所述第三电子设备,其中所述增强结构进一步安置在所述布线结构的所述侧表面和所述封装体的侧表面上并接触所述布线结构的所述侧表面和所述封装体的所述侧表面。

11.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述增强结构的底表面的表面条件与所述保护材料的上表面、所述第一电子设备的第二表面和所述第二电子设备的第二表面的表面条件一致。

12.一种封装结构,其包括:

布线结构;

第一电子设备,其电连接到所述布线结构;

第二电子设备,其电连接到所述布线结构;

保护材料,其从所述第一电子设备与所述布线结构之间的第一空间延伸到所述第二电子设备与所述布线结构之间的第二空间;

增强结构,其安置在所述第一电子设备和所述第二电子设备上;以及

缓冲结构,其安置在所述增强结构与所述保护材料之间。

13.根据权利要求12所述的封装结构,其中所述缓冲结构是空的空间。

14.根据权利要求12所述的封装结构,其中所述缓冲结构是所述增强结构的一部分。

15.根据权利要求14所述的封装结构,其中所述增强结构接触所述第一电子设备、所述第二电子设备和所述保护材料。

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