[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

位于所述基底上的若干栅极结构；

位于所述栅极结构两侧的基底内的源漏结构；

位于栅极结构侧壁面的侧墙，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区，且所述第一区和第二区的材料不同；

位于所述基底上的第一介质层，所述第一介质层还位于所述侧墙侧壁面；位于所述第一介质层内且位于所述源漏结构表面的导电结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙的材料为包括硅元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的硅元素含量比例小于第二区的材料中的硅元素含量比例。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区的侧墙的材料中硅元素含量比例为20％至50％。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧墙的材料为包括碳元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的碳元素含量比例小于第二区的材料中的碳元素含量比例。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二区的侧墙的材料中碳元素含量比例为5％至20％。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区的侧墙的材料包括低k介质材料。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一区的侧墙的材料包括SiOC、SiOCN和SiOCH中的至少一种。

8.如权利要求2或4所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构顶面低于所述侧墙顶面；所述半导体结构还包括：位于所述栅极结构顶面的栅极保护结构。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极保护结构底面低于或齐平于所述第一区的侧墙顶面。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底、以及位于所述衬底上的若干鳍部结构，所述栅极结构横跨所述鳍部结构，且所述源漏结构位于所述栅极结构两侧的鳍部结构内。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一介质层、位于第一介质层内的若干栅极结构、以及位于栅极结构侧壁面的侧墙，并在所述栅极结构两侧的基底内形成源漏结构，所述第一介质层还位于所述源漏结构表面，所述侧墙包括第一区和位于第一区上的第二区；

在形成所述侧墙之后，刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干导电开口，所述导电开口暴露出所述源漏结构表面，并且，刻蚀所述第一介质层的工艺中，对所述第二区的侧墙的刻蚀速率小于对所述第一区的侧墙的刻蚀速率；

在所述导电开口内形成导电结构。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为包括硅元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的硅元素含量比例小于第二区的材料中的硅元素含量比例。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区的侧墙的材料中硅元素含量比例为20％至50％。

14.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为包括碳元素的介电材料，并且，所述第一区的材料中的碳元素含量比例小于第二区的材料中的碳元素含量比例。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二区的侧墙的材料中碳元素含量比例为5％至20％。

16.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一区的侧墙的材料包括低k介质材料。