[发明专利]一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法

权利要求书

1.一种能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片，其特征在于，所述能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片包括：衬底层、硅化物阻挡层和介质层；

所述衬底层上形成器件层；所述器件层中包括多个器件，每个器件包括栅极结构，和位于所述栅极结构两侧的源漏区；靠近所述源漏区的所述栅极结构侧边上，形成侧墙结构；

所述硅化物阻挡层覆盖在所述器件层上；所述硅化物阻挡层包括从所述器件层上依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；所述侧墙结构和所述第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；

所述介质层形成于所述硅化物阻挡层上。

2.如权利要求1所述的能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片，其特征在于，所述第一阻挡层的材质成分包括富硅二氧化硅。

3.如权利要求1所述的能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片，其特征在于，所述第二阻挡层的材质成分包括氮化硅。

4.如权利要求1所述的能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片，其特征在于，所述介质层包括从所述硅化物阻挡层上依次层叠的刻蚀停止层和绝缘层。

5.如权利要求1所述的能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片，其特征在于，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层之间的刻蚀选择比大于8:1。

6.一种芯片接触孔自对准刻蚀方法，其特征在于，所述接触孔自对准刻蚀方法至少包括以下步骤：

提供如权利要求1至权利要求5中任一项所述的能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片；

通过光刻工艺，在所述芯片上定义出接触孔图案；

根据所述接触孔图案，进行第一次刻蚀，刻蚀去除所述接触孔图案位置处的介质层和第二阻挡层；所述第二阻挡层与所述第一阻挡层之间的高刻蚀选择比，使得第一次刻蚀的停止面位于所述第一阻挡层中；

根据所述接触孔图案，进行第二次刻蚀，刻蚀去除位于所述接触孔图案位置处，覆盖在所述源漏区上的第一阻挡层，保留位于所述接触孔图案位置处，覆盖在所述侧墙结构上的第一阻挡层。

7.如权利要求6所述的能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片，其特征在于，所述第二次刻蚀为各向异性刻蚀。

8.如权利要求7所述的能够进行接触孔自对准刻蚀的芯片，其特征在于，进行第二次刻蚀，对位于所述接触孔图案位置处，覆盖在所述源漏区上第一阻挡层的刻蚀速率，大于，对覆盖在所述侧墙结构上第一阻挡层的刻蚀速率。