[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，包括硅衬底，依次层叠设置于所述硅衬底受光面的第一本征非晶层、第一掺杂层以及第一透明导电膜层，依次层叠设置于所述硅衬底背光面的第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层以及第二透明导电膜层；其特征在于，所述第一透明导电膜层的载流子浓度低于所述第二透明导电膜层的载流子浓度，所述第一透明导电膜的载流子迁移率高于所述第二透明导电膜层的载流子迁移率。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层的载流子浓度为2E20-5E20/cm³，所述第二透明导电膜层的载流子浓度为3E20-6E20/cm³。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层的载流子迁移率为30-60cm²V^-1s^-1，所述第二透明导电膜层的载流子迁移率为20-50cm²V^-1s^-1。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层包括第一TCO膜以及设置于所述第一TCO膜一表面的第二TCO膜，所述第二TCO膜的载流子浓度大于所述第一TCO膜的载流子浓度，且所述第二TCO膜的厚度小于所述第一TCO膜的厚度。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电膜层还包括设置于所述第一TCO膜另一表面的第三TCO膜，所述第三TCO膜的载流子浓度大于所述第一TCO膜的载流子浓度，且所述第三TCO膜的厚度小于所述第一TCO膜的厚度。

6.根据权利要求1-3任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电膜层包括第四TCO膜以及设置于所述第四TCO膜一表面的第五TCO膜，所述第五TCO膜的载流子浓度大于所述第四TCO膜的载流子浓度，且所述第五TCO膜的厚度小于所述第四TCO膜的厚度。

7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第二透明导电膜层还包括设置于所述第四TCO膜另一表面的第六TCO膜，所述第六TCO膜的载流子浓度大于所述第四TCO膜的载流子浓度，且所述第六TCO膜的厚度小于所述第四TCO膜的厚度。

8.一种异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：

于硅衬底的受光面一侧依次沉积第一本征非晶层、第一掺杂层；

于所述硅衬底的背光面依次沉积第二本征非晶层、掺杂类型与所述第一掺杂层掺杂类型相反的第二掺杂层；

于所述第一掺杂层和所述第二掺杂层的表面分别沉积第一透明导电膜层与第二透明导电膜层，并控制所述第一透明导电膜层的载流子浓度低于所述第二透明导电膜层的载流子浓度，且所述第一透明导电膜层的载流子迁移率高于所述第二透明导电膜层的载流子迁移率。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，沉积所述第一透明导电膜层的靶材功率密度大于沉积所述第二透明导电膜层的靶材功率密度。

10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，沉积所述第一透明导电膜层的靶材功率密度为1-2W/cm²，沉积所述第二透明导电膜层的靶材功率密度为0.8-1.8W/cm²。

11.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于，所述第一透明导电膜层与所述第二透明导电膜层的沉积气氛均包括氩气与氧气，所述第一透明导电膜层沉积气氛中的氧气流量比大于所述第二透明导电膜层沉积气氛中的氧气流量比。