[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀层；

在待刻蚀层上形成初始牺牲层；

在初始牺牲层内形成改性层，所述改性层的厚度小于所述初始牺牲层的厚度，所述改性层与初始牺牲层的刻蚀速率不同；

采用第一刻蚀去除部分所述初始牺牲层，在改性层之间形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始牺牲层的厚度；

以所述改性层为掩膜，采用第二刻蚀去除所述凹槽底部暴露出的初始牺牲层，形成牺牲层和位于牺牲层上的改性层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性层的厚度为所述初始牺牲层厚度的三分之一至三分之二。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽的底部与所述改性层的底部平面齐平。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀的工艺包括湿法刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀的工艺包括干法刻蚀工艺。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：以所述牺牲层和位于牺牲层上的改性层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性层的形成方法包括：在初始牺牲层上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构暴露出部分所述初始牺牲层顶部表面；以所述第一掩膜结构为掩膜对所述初始牺牲层进行离子注入，形成所述改性层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述初始牺牲层进行离子注入的离子包括碳离子、氟离子或氮离子。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成改性层之后，去除部分初始牺牲层之前，还包括：在初始牺牲层和改性层上形成第二掩膜结构，所述第二掩膜结构暴露出部分初始牺牲层表面和部分改性层表面；以所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀暴露出的初始牺牲层和改性层，直至暴露出待刻蚀层表面，在待刻蚀层上形成复合结构，所述复合结构包括过渡牺牲层和位于过渡牺牲层内的部分改性层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成复合结构之后，在复合结构侧壁形成侧墙结构；去除部分所述过渡牺牲层，形成所述凹槽，部分所述凹槽暴露出所述侧墙结构侧壁。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成牺牲层和位于牺牲层上的改性层之后，还包括：以所述侧墙结构、牺牲层和位于牺牲层上的改性层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。

12.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构的形成方法包括：在复合结构顶部表面和侧壁表面以及待刻蚀层表面形成侧墙材料层；回刻蚀所述侧墙材料层，直至暴露出复合结构顶部表面，形成所述侧墙结构。

13.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构的材料与所述过渡牺牲层的材料具有不同的刻蚀速率；所述侧墙结构的材料与所述改性层的材料具有不同的刻蚀速率；所述侧墙结构的材料与所述待刻蚀层表面的材料具有不同的刻蚀速率。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙结构的材料包括氧化钛、氧化硅或氮化硅。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀层包括衬底、位于衬底上的过渡层和位于过渡层上的停止层；所述衬底包括基底和位于基底上的器件层，所述器件层包括隔离层和位于隔离层内的器件结构，所述器件结构包括晶体管、二极管、三极管、电容、电感或导电结构。