[发明专利]一种芯片封装体及其制程方法和电子装置

权利要求书

1.一种芯片封装体，其特征在于，所述芯片封装体包括：

图案化的金属基材板，其中，所述金属基材板上设置有凹槽，所述凹槽的深度小于所述金属基材板的厚度；

芯片，设置在所述凹槽中；

第一绝缘层，覆盖在所述芯片和所述金属基材板上，其中，所述第一绝缘层中设置有通孔以裸露出部分的所述金属基材板和所述芯片；

图案化的第一导电层，设置在所述第一绝缘层上和所述通孔内，以使所述芯片藉由所述第一导电层而连接至所述金属基材板。

2.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，

所述第一绝缘层与所述第一导电层重叠的部分之间还设置有图案化的第二导电层，所述芯片藉由所述第一导电层连接至所述第二导电层和所述金属基材板。

3.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，

所述金属基材板与所述芯片重叠的部分之间还设置有第三导电层，所述芯片通过所述第三导电层与所述金属基材板贴合。

4.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，

所述芯片封装体还包括有导电金属层，所述导电金属层设置在所述金属基材板远离所述第一绝缘层的表面上。

5.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，

所述芯片封装体还包括有第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖在所述第一导电层和部分裸露的所述第一绝缘层上。

6.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，

所述芯片的底面积小于所述凹槽的底面积。

7.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，

所述通孔面向所述金属基材板一侧的表面积小于远离所述金属基材板一侧的表面积。

8.一种芯片封装体的制程方法，其特征在于，所述制程方法包括：

在金属基材板上开设一凹槽，其中，所述凹槽的深度小于所述金属基材板的厚度；

在所述凹槽中设置芯片；

在设置有所述芯片的所述金属基材板上形成第一绝缘层，以覆盖所述芯片和所述金属基材板；

图案化所述第一绝缘层，以形成图案化的第一绝缘层，其中，所述图案化的第一绝缘层中设置有通孔以裸露出部分的所述金属基材板和所述芯片；

在所述图案化的第一绝缘层上形成第一导电层，且所述通孔内填充有所述第一导电层；

图案化所述第一导电层，以形成图案化的第一导电层；

图案化所述金属基材板，以形成图案化的金属基材板，从而使所述芯片藉由所述图案化的第一导电层而连接至所述图案化的金属基材板。

9.根据权利要求8所述的制程方法，其特征在于，所述在设置有所述芯片的所述金属基材板上形成第一绝缘层，以覆盖所述芯片和所述金属基材板的步骤之后，所述图案化所述第一绝缘层，以形成图案化的第一绝缘层，其中，所述图案化的第一绝缘层中设置有通孔以裸露出部分的所述金属基材板和所述芯片的步骤之前还包括：

在所述第一绝缘层上形成第二导电层；

所述图案化所述第一绝缘层，以形成图案化的第一绝缘层，其中，所述图案化的第一绝缘层中设置有通孔以裸露出部分的所述金属基材板和所述芯片的步骤包括：

图案化所述第一绝缘层和所述第二导电层，以形成图案化的第一绝缘层和图案化的第二导电层，其中，所述图案化的第一绝缘层和所述图案化的第二导电层中设置有通孔以裸露出部分的所述金属基材板和所述芯片；

所述在所述图案化的第一绝缘层上形成第一导电层，且所述通孔内填充有所述第一导电层的步骤包括：

在所述图案化的第一绝缘层和所述图案化的第二导电层上形成第一导电层，且所述通孔内填充有所述第一导电层；

所述图案化所述金属基材板，以形成图案化的金属基材板，从而使所述芯片藉由所述图案化的第一导电层而连接至所述图案化的金属基材板的步骤包括：

图案化所述金属基材板，以形成图案化的金属基材板，从而使所述芯片藉由所述图案化的第一导电层而连接至所述图案化的第二导电层和所述图案化的金属基材板。