[发明专利]用于低容量TVS的封装结构

权利要求书

1.一种封装结构，包括：

包括管芯焊盘的第一引线框；和

耦合到所述第一引线框的芯片堆叠体，其中，所述芯片堆叠体包括：

耦合到所述管芯焊盘的瞬态电压抑制(TVS)设备；

耦合到TVS设备的导电晶片；以及

耦合到所述导电晶片的玻璃钝化托盘(GPP)设备。

2.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：

耦合到GPP设备的夹片；以及

连接到所述夹片的第二引线框。

3.根据权利要求2所述的封装结构，还包括包围所述芯片堆叠体和所述夹片的包封件，其中，所述第一引线框和所述第二引线框在所述包封件的外部延伸。

4.根据权利要求2所述的封装结构，还包括在所述TVS设备和所述管芯焊盘之间的第一焊料。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其中，所述管芯焊盘包括凹入式通道，并且其中，所述第一焊料在所述凹入式通道内延伸。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其中，所述凹入式通道包括限定u形轮廓或v形轮廓的一组壁。

7.根据权利要求4所述的封装结构，其中，所述夹片包括第一接触区和第二接触区，其中，所述第一接触区通过第二焊料连接到所述GPP设备，并且其中，所述第二接触区通过第三焊料连接到所述第二引线框。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述导电晶片被夹在所述TVS设备和所述GPP设备之间。

9.一种半导体封装，包括：

包括管芯焊盘的第一引线框；和

耦合到所述第一引线框的芯片堆叠体，其中，所述芯片堆叠体包括被夹在瞬态电压抑制(TVS)芯片和玻璃钝化托盘(GPP)芯片之间的焊料晶片。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，TVS芯片通过第一焊料耦合到所述管芯焊盘。

11.根据权利要求10所述的半导体封装，还包括：

耦合到GPP芯片的夹片；以及

连接到所述夹片的第二引线框。

12.根据权利要求11所述的半导体封装，还包括包围所述芯片堆叠体和所述夹片的包封件，其中，所述第一引线框和所述第二引线框在所述包封件的外部延伸。

13.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述管芯焊盘包括凹入式通道，其中，所述第一焊料在所述凹入式通道内延伸，并且其中，所述凹入式通道包括限定u形轮廓或v形轮廓的一组壁。

14.根据权利要求11所述的半导体封装，其中，所述夹片包括第一接触区和第二接触区，其中，所述第一接触区通过第二焊料连接到所述GPP芯片，并且其中，所述第二接触区通过第三焊料连接到所述第二引线框。

15.一种用于形成封装结构的方法，包括：

提供包括管芯焊盘的第一引线框；和

将芯片堆叠体耦合到所述第一引线框，其中，所述芯片堆叠体包括：

耦合到所述管芯焊盘的瞬态电压抑制(TVS)设备；

耦合到TVS设备的焊料晶片；以及

耦合到所述焊料晶片的玻璃钝化托盘(GPP)设备。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括：

将夹片耦合到GPP设备；以及

将第二引线框连接到所述夹片。

17.根据权利要求16所述的方法，还包括在所述芯片堆叠体和所述夹片周围提供包封件，其中，所述第一引线框和所述第二引线框在所述包封件的外部延伸。