[发明专利]亚分辨率辅助图形添加方法及装置、计算机可读存储介质有效
| 申请号: | 202010981385.X | 申请日: | 2020-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN112099319B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
| 发明(设计)人: | 高澎铮;韦亚一;张利斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06F30/392 |
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 分辨率 辅助 图形 添加 方法 装置 计算机 可读 存储 介质 | ||
本发明公开了亚分辨率辅助图形添加方法及装置、计算机可读存储介质。该方法包括:向初始的版图上添加亚分辨率辅助图形,在已添加的多个亚分辨率辅助图形符合设定的条件下分别计算多个亚分辨率辅助图形的评价值以及基于多个亚分辨率辅助图形的评价值清理相应的亚分辨率辅助图形,否则继续添加亚分辨率辅助图形;最后输出版图。该装置可包括辅助图形添加模块、评价值计算模块、辅助图形清理模块及最终版图输出模块。本发明创新地在亚分辨率辅助图形的添加过程中进行冲突清理,可有效避免所有亚分辨率辅助图形添加完成后再进行冲突清理的工作量和复杂度,而且本发明还能够获得更大的光刻工艺窗口,进而明显地提高目标图形的光刻成像对比度。
技术领域
本发明涉及光刻分辨率增强技术领域,更为具体地,本发明涉及一种亚分辨率辅助图形添加方法及装置、计算机可读存储介质。
背景技术
在光刻工艺中,与稀疏图形相比,密集图形的光刻工艺窗口会更大。可见稀疏图形会限制整体的光刻工艺窗口,为了解决该问题,在集成电路设计版图中的稀疏图形周围添加一些细小的图形,从而使稀疏图形在光学角度上看起来像密集图形、具有与密集图形类似的几何分布,进而可达到增强稀疏图形的成像对比度和提高整体的工艺窗口的目的。这些细小图形必须小于光刻机分辨率,因而曝光时这些细小图形对光线只起散射作用,而不会被转移到光刻胶上,这些细小图形一般被称之为亚分辨率辅助图形(SRAF,Sub-Resolution Assistant Feature)或者散射条(Scattering Bar);稀疏图形可以被称之为目标图形。
亚分辨率辅助图形的放置需要遵循一定的规则,放在正确的位置,会提高目标图形的成像对比度;但如果放在错误的位置,例如亚分辨率辅助图形的散射光、衍射光与目标图形相反,则会削弱目标图形的成像对比度。在实际的大规模量产中,往往会基于制定的一系列规则放置亚分辨率辅助图形。制定规则的传统方式为基于模型的计算,然而随着工艺节点的不断缩小,目标图形的尺寸和周期也在不断地缩小,则对亚分辨率辅助图形的放置精度要求也越来越高,采用基于模型的计算方式过于消耗计算资源,其用时较长,难以真正应用到实际生产中;因而基于规则的亚分辨率辅助图形放置方案的应用越来越多,可是在该方式下放置亚分辨率辅助图形时经常发生辅助图形之间的冲突,制约了亚分辨率辅助图形放置精度。因此,亟需对基于规则的亚分辨率辅助图形放置方案进行改进和优化。
发明内容
为了解决现有基于规则的亚分辨率辅助图形放置方案存在的辅助图形之间的冲突及制约了亚分辨率辅助图形放置精度的问题,本发明提供一种亚分辨率辅助图形添加方法及装置、计算机可读存储介质,可有效提高基于规则的亚分辨率辅助图形放置精度,并且能够明显减少冲突清理过程中的误差,以有效解决现有技术存在的至少一个问题。
为实现上述技术目的,本发明一些实施例能够提供一种亚分辨率辅助图形添加方法,该亚分辨率辅助图形添加方法包括但不限于如下的步骤。
向初始的版图上添加亚分辨率辅助图形。
在已添加的多个亚分辨率辅助图形符合设定的条件下分别计算所述多个亚分辨率辅助图形的评价值,以及基于所述多个亚分辨率辅助图形的评价值清理相应的亚分辨率辅助图形。否则继续添加亚分辨率辅助图形。
在所有位置的亚分辨率辅助图形添加完成后输出版图。
进一步地,所述设定的条件包括:相邻的至少两个亚分辨率辅助图形存在交叠或亚分辨率辅助图形违反掩模制造规则。
进一步地,还包括在初始的版图的目标图形边缘设置至少一个检测点的步骤,所述目标图形为待转移到晶圆上的图形。
所述分别计算所述多个亚分辨率辅助图形的评价值的步骤包括:计算所述多个亚分辨率辅助图形分别在周围检测点处的光强对数斜率值,然后利用所述光强对数斜率值计算亚分辨率辅助图形的评价值。
进一步地,利用所述光强对数斜率值计算亚分辨率辅助图形的评价值的步骤包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010981385.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





