[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式的半导体装置具备：金属板；半导体芯片；绝缘基板，设置于金属板与半导体芯片之间；包围绝缘基板的框体；网眼状的片材，设置于金属板与框体之间；粘接剂，设置于金属板与框体之间；以及密封件，被框体包围，覆盖半导体芯片以及绝缘基板。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-51027号(申请日：2020年3月23日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包括基申请的所有内容。

技术领域

实施方式主要涉及半导体装置。

背景技术

在功率半导体模块中，例如，在金属板之上以将绝缘基板夹在中间的方式安装功率半导体芯片。功率半导体芯片例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)、MOSFET(Metal Oxide Field Effect Transistor：金属氧化物场效应晶体管)或二极管。

为了保护功率半导体芯片，在金属板之上设置包围绝缘基板的树脂壳体。而且，在树脂壳体之中填充有将功率半导体芯片及绝缘基板覆盖的密封材料。

金属板与树脂壳体之间使用粘接剂进行粘接。若金属板与树脂壳体之间的粘接不充分，则会产生例如密封材料漏出的问题。

发明内容

本发明的实施方式提供一种提高金属板与树脂壳体的粘接性的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：金属板；半导体芯片；绝缘基板，设置于所述金属板与所述半导体芯片之间；框体，包围所述绝缘基板；网眼状的片材，设置于所述金属板与所述框体之间；粘接剂，设置于所述金属板与所述框体之间；以及密封材料，被所述框体包围，覆盖所述半导体芯片以及所述绝缘基板。

附图说明

图1A、图1B、图1C是实施方式的半导体装置的示意图。

图2A、图2B是实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图3A、图3B是实施方式的半导体装置的放大示意图。

图4至图10B是表示实施方式的半导体装置的制造方法的图。

图11A至图14B是表示比较例的半导体装置的制造方法的图。

图15A至图16B是在比较例的半导体装置中可能产生的问题点的说明图。

具体实施方式

在本说明书中，对相同或类似的构件标注相同的附图标记，有时省略重复的说明。

在本说明书中，为了表示部件等的位置关系，有时将附图的上方向记述为“上”，将附图的下方向记述为“下”。在本说明书中，“上”、“下”的概念未必是表示与重力的方向的关系的用语。

实施方式的半导体装置具备：金属板；半导体芯片；绝缘基板，设置于金属板与半导体芯片之间；网眼状的片材，设置于包围绝缘基板的框体、金属板与框体之间；粘接剂，设置于金属板与框体之间；以及密封件，被框体包围，并覆盖半导体芯片以及绝缘基板。

图1A、图1B、图1C是实施方式的半导体装置的示意图。图1A、图1B是剖视图。图1C是俯视图。图1A是图1C的AA’截面。图1B是图1C的BB’截面。

实施方式的半导体装置是功率半导体模块100。如图1A所示，实施方式的功率半导体模块100中，串联连接有2个IGBT。实施方式的功率半导体模块100是能够以1个模块构成半桥电路的、所谓的“2in1”类型的模块。例如，通过使用3个实施方式的功率半导体模块100，能够构成3相逆变器电路。