[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

说明书

有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部，下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部，第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内，且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触，氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法。

背景技术

广泛使用具备按每个像素设置有开关元件的有源矩阵基板的显示装置。将具备薄膜晶体管(Thin FilmTransistor：以下，“TFT”)作为开关元件的有源矩阵基板称为TFT基板。此外，在本说明书中，将与显示装置的像素对应的TFT基板的部分称为像素区域或者像素。另外，作为开关元件而设置于有源矩阵基板的各像素的TFT称为“像素TFT”。在TFT基板设置有多个源极总线以及多个栅极总线，在它们的交叉部附近配置有像素TFT。像素TFT的源电极连接于源极总线中的一个，栅电极连接于栅极总线中的一个。

近年来，提出有取代非晶硅、多晶硅而使用氧化物半导体，作为TFT的有源层的材料。将这样的TFT称为“氧化物半导体TFT”。氧化物半导体具有比非晶硅高的迁移率。因此，氧化物半导体TFT能够以比非晶硅TFT高的速度进行动作。另外，氧化物半导体膜由比多晶硅膜简单的工艺形成，因此也能够在需要大面积的装置中应用。

许多氧化物半导体TFT为底栅型TFT，但也提出有顶栅型的氧化物半导体TFT(例如专利文献1(日本特开2015-109315号公报)以及专利文献2(国际公开第2015/186619号))。

专利文献1公开：在氧化物半导体层的一部分上经由栅极绝缘层而配置了栅电极、且在覆盖栅电极的绝缘层上配置了源电极和漏电极的顶栅型TFT。

另一方面，本申请人的专利文献2提出有：在比栅极总线靠基板侧设置源电极以及源极总线的基板构造(以下“下部源极构造”)。在该构造中，源极总线配置在比氧化物半导体TFT的氧化物半导体层靠基板侧，栅极总线配置在氧化物半导体层的上方。根据具有下部源极构造的TFT基板(以下省略为“下部源极构造基板”。)，能够使位于源极总线与栅极总线之间的绝缘层变厚，因此能够减少这些总线的交叉部所产生的寄生电容。

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在下部源极构造基板中，像素TFT的活性层以覆盖对应的源极总线的方式配置在绝缘层(下部绝缘层)上，并在形成于下部绝缘层的开口部内，与源极总线(与或者源极总线一体形成的源电极)的上表面连接。在本说明书中，将使像素TFT的有源层与源极总线电连接的连接部称为“源极接触部”。

在本发明人进行了研究后，在下部源极构造基板中，若使用氧化物半导体TFT作为像素TFT，则有时难以减少源极接触部的接触电阻。例如根据源极总线的材料的不同，难以与像素TFT的有源层亦即氧化物半导体层(例如In-Ga-Zn-O系半导体层)形成良好的欧姆接合。另外，即便在使用了能够与氧化物半导体层形成欧姆接合的材料作为源极总线的材料的情况下，也由于源极总线(或者源电极)的表面因工艺而受到损伤，或被污染，从而存在与氧化物半导体层之间的接触电阻上升的可能性。详情将后述。

本发明的一实施方式提供一种有源矩阵基板，其在各像素区域具备氧化物半导体TFT，并能够减少将氧化物半导体TFT的氧化物半导体层与源极总线电连接的连接部的接触电阻。

解决问题的方案

本说明书公开以下的项目所述的有源矩阵基板以及有源矩阵基板的制造方法。

[项目1]