[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，其特征在于，

所述有源矩阵基板具有：包含多个像素区域的显示区域和除所述显示区域以外的非显示区域，并具备：

基板；

多个栅极总线和多个源极总线，其中，所述多个栅极总线被所述基板的主面支承，且沿第一方向延伸，所述多个源极总线沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，并且位于比所述多个栅极总线靠所述基板侧；

下部绝缘层，其位于所述多个源极总线与所述多个栅极总线之间，并覆盖所述多个源极总线；以及

氧化物半导体TFT以及像素电极，所述氧化物半导体TFT以及像素电极分别与所述多个像素区域相对应而配置，

所述氧化物半导体TFT具有：

氧化物半导体层，其配置在所述下部绝缘层上；

栅电极，其经由栅极绝缘层而配置在所述氧化物半导体层的一部分上，并且与所述多个栅极总线的对应的一个电连接；

源电极，其使用与所述多个源极总线相同的导电膜而形成于所述下部绝缘层与所述基板之间，并且与所述多个源极总线的对应的一个电连接；以及

第一欧姆导电部，其由可与所述氧化物半导体层形成欧姆接合的导电材料形成在所述氧化物半导体层与所述下部绝缘层以及所述源电极之间，并且将所述氧化物半导体层与所述源电极连接，

所述氧化物半导体层包括：沟道区域和分别位于所述沟道区域的两侧的第一区域以及第二区域，所述第一区域与所述源电极电连接，所述第二区域与所述像素电极电连接，

所述下部绝缘层具有使所述源电极的至少一部分露出的源极用开口部，

所述第一欧姆导电部配置在所述下部绝缘层上以及所述源极用开口部内，且在所述源极用开口部内与所述源电极的所述至少一部分直接接触，所述氧化物半导体层的所述第一区域与所述第一欧姆导电部的上表面直接接触。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述氧化物半导体TFT还具有：

第二欧姆导电部，其配置在所述下部绝缘层与所述氧化物半导体层的所述第二区域之间，由与所述第一欧姆导电部相同的导电膜形成，并且与所述第一欧姆导电部电分离；和

漏电极，其将所述氧化物半导体层的所述第二区域与所述像素电极连接，

所述氧化物半导体层的所述第二区域与所述第二欧姆导电部的上表面直接接触，

所述漏电极和所述第二欧姆导电部经由所述氧化物半导体层而至少局部重叠。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述有源矩阵基板还具备：覆盖所述氧化物半导体层以及所述栅电极的层间绝缘层，

所述漏电极配置在所述层间绝缘层上以及形成于所述层间绝缘层的漏极用开口部内，且在所述漏极用开口部内与所述氧化物半导体层的所述第二区域的上表面接触。

4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述氧化物半导体TFT还具有第二欧姆导电部，所述第二欧姆导电部配置在所述下部绝缘层与所述氧化物半导体层之间，且由与所述第一欧姆导电部相同的导电膜形成，并且与所述第一欧姆导电部电分离，

所述氧化物半导体层的所述第二区域与所述第二欧姆导电部的上表面直接接触，

所述像素电极与所述氧化物半导体层的所述第二区域直接接触。

5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述氧化物半导体层的所述第二区域具有使所述第二欧姆导电部的所述上表面的一部分露出的开口部，

所述像素电极在所述氧化物半导体层的所述开口部内与所述开口部的侧面以及所述第二欧姆导电部的所述上表面的所述一部分直接接触。

6.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述第一欧姆导电部由透明导电膜形成，

所述像素电极配置在所述下部绝缘层与所述氧化物半导体层之间，并且由与所述第一欧姆导电部相同的导电膜形成，

所述氧化物半导体层的所述第二区域与所述像素电极的上表面直接接触。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的有源矩阵基板，其特征在于，

所述氧化物半导体层覆盖所述第一欧姆导电部的上表面整体以及侧面整体。