[发明专利]包括具有可控尾部的非导电膜的半导体封装在审

专利信息
申请号: 202010721386.0 申请日: 2020-07-24
公开(公告)号: CN112825311A 公开(公告)日: 2021-05-21
发明(设计)人: 金成洙 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/538
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 具有 可控 尾部 导电 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装,该半导体封装包括:

封装基板;

第一半导体芯片,该第一半导体芯片设置在所述封装基板上,并且具有第一贯通电极;

第二半导体芯片,该第二半导体芯片层叠在所述第一半导体芯片上,并且具有第二贯通电极;以及

非导电膜,该非导电膜设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的接合区中,

其中,在所述接合区在横向方向上的边缘部分处,所述第一半导体芯片的边缘部分基于所述第二半导体芯片的边缘部分在所述横向方向上凹陷。

2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述非导电膜还包括从所述接合区的横向边缘延伸到所述接合区的外部的尾部,并且

其中,所述尾部关于所述非导电膜与所述第一半导体芯片的界面水平向下弯曲。

3.根据权利要求2所述的半导体封装,其中,所述尾部在重力方向上弯曲。

4.根据权利要求2所述的半导体封装,该半导体封装还包括:

模制层,该模制层掩埋所述封装基板上方的所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片以及所述非导电膜。

5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一半导体芯片包括第一凸块,该第一凸块电连接到所述第一贯通电极并且设置在所述接合区中,并且

其中,所述第二半导体芯片包括第二凸块,该第二凸块电连接到所述第二贯通电极并且设置在所述接合区中。

6.一种半导体封装,该半导体封装包括:

封装基板;

第一半导体芯片,该第一半导体芯片设置在所述封装基板上并且具有第一贯通电极;

第二半导体芯片,该第二半导体芯片层叠在所述第一半导体芯片上并且具有第二贯通电极;以及

非导电膜,该非导电膜设置在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间的接合区中,

其中,在所述接合区的横向边缘部分处,所述第一半导体芯片具有从第一接合表面在所述第一半导体芯片的内方向上形成的中空部分,该第一接合表面是所述第一半导体芯片的与所述非导电膜接触的上表面。

7.根据权利要求6所述的半导体封装,其中,所述非导电膜还包括从所述接合区的横向边缘延伸到所述接合区的外部的尾部,并且

其中,所述尾部关于所述非导电膜与所述第一半导体芯片的界面水平向下弯曲。

8.根据权利要求7所述的半导体封装,该半导体封装还包括:

模制层,该模制层掩埋所述封装基板上方的所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片以及所述非导电膜。

9.根据权利要求6所述的半导体封装,其中,所述中空部分具有侧壁表面和底表面,并且

其中,所述中空部分的所述侧壁表面具有垂直于所述第一接合表面的倾斜角度。

10.根据权利要求6所述的半导体封装,其中,所述中空部分具有侧壁表面和底表面,并且

其中,所述中空部分的所述侧壁表面具有不垂直于所述第一接合表面的倾斜角度。

11.根据权利要求6所述的半导体封装,其中,在所述接合区的横向边缘部分中,所述第二半导体芯片还包括从第二接合表面在所述非导电膜的内方向上延伸的突起,该第二接合表面是所述第二半导体芯片的与所述非导电膜接触的下表面。

12.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述突起具有侧壁表面和底表面,并且

其中,所述突起的所述侧壁表面具有垂直于所述第二接合表面的倾斜角度。

13.根据权利要求11所述的半导体封装,其中,所述突起具有侧壁表面和底表面,并且

其中,所述突起的所述侧壁表面具有不垂直于所述第二接合表面的倾斜角度。

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