[发明专利]双向可控的可控硅有效
| 申请号： | 98104196.5 | 申请日： | 1998-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1155098C | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | K·托马斯;P·斯特雷特 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;萧掬昌 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 此处的双向可控的可控硅的优点是改善了在两个可控硅结构间的去耦合，特别是不可能由于载流子的不需要的迁移而不受控制地触发串联结构。这通过下面的方法实现：增加阴极区域向着隔离区域减小的度。特别是可以通过下面方法实现：短路区域的每面积单位的密度向着隔离区域趋向一个最大值。使用一个线形的、沿着隔离区域延伸的贯穿的短路区域特别有效。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 可控 可控硅 | ||
【主权项】：
1.在半导体上框架形成的双向可控的可控硅(1)，a>在该半导体框架的一侧上的第一个主平面(2)和该半导体框架的相对一侧上的第二个主平面(3)之间，第一个可控硅具有第一个阳极区域(4)、第一个n型基极(5)、第一个p型基极(6)、第一个阴极区域(7)和第一个中心的栅极区域(8)，与它反向并联的第二个可控硅结构具有第二个阳极区域(9)、第二个n型基极(10)、第二个p型基极(11)、第二个阴极区域(12)和第二个中心栅极区域(13)，其中，第一个阳极区域(4)、第二个阴极区域(2)和第二个栅极区域(13)属于第一个主平面(2)，而第二个阳极区域(9)、第一个阴极区域(7)和第一个栅极区域(8)属于第二个主平面(3)；b>在两个主平面(2、3)上，每一个隔离区域(14)位于两个可控硅结构之间，这些隔离区域(14)被设置在第一个主平面(2)的第一个阳极区域(4)和第二个阴极区域(2)之间并且位于第二个主平面(3)的第二个阳极区域(9)和第一个阴极区域(7)之间，以及c>短路区域(16)，通过第一和第二个阴极区域(7、12)短路第一个和第二个p型基极(6、11)，第一个和第二个阴极区域(7、12)分别具有覆盖阴极区域的金属化层，其特征在于，短路区域(16)的每单位面积的密度向隔离区域(14)的方向增长，并且直接相邻的隔离区(14)有一个最大值。
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- 鞠山满;松本浩司;泽井敬一;铃木成次;一条尚生 - 夏普株式会社
- 2015-04-30 - 2017-11-21 - H01L29/747
- 本发明提供一种能够应用于高电流容量的SSR的双向光敏晶闸管芯片。该双向光敏晶闸管芯片(40)在一个半导体芯片的表面搭载有多个单元(42)，各单元(42)包括彼此分离形成的第一光敏晶闸管部(42a)和第二光敏晶闸管部(42b)，各光敏晶闸管部(42a、42b)具有PNPN部，该PNPN部包括在一个方向上延伸并且具有N型和P型中的一种导电型的阳极扩散区域(43)；具有N型和P型中的另一种导电型的衬底(41)；与阳极扩散区域(43)相对的具有上述一种导电型的控制极扩散区域(44)；在该控制极扩散区域(44)内与阳极扩散区域(43)相对形成并且具有上述另一种导电型的阴极扩散区域(45)。
- 一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关、具有竖直结构的晶闸管和集成电路-201621091076.0
- S·蒙纳德 - 意法半导体(图尔)公司
- 2016-09-28 - 2017-09-15 - H01L29/747
- 一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关、具有竖直结构的晶闸管和集成电路。对于具有竖直结构的三端双向可控硅开关，竖直结构从硅衬底被形成，硅衬底具有上侧表面。上侧表面上的主涂敷金属的第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上。主涂敷金属的第二部分置于上述层的部分上。上侧表面上的栅极涂敷金属置于在第一区域的附近形成在上述层中的第一传导类型的第二区域上。在上侧表面上形成在上述层中的多孔硅棒具有与栅极涂敷金属接触的第一端以及与主涂敷金属接触的第二端。
- 具有Q1和Q4控制的双向开关-201180076227.9
- S·梅纳尔 - 意法半导体(图尔)公司
- 2011-04-22 - 2017-08-04 - H01L29/747
- 本发明涉及一种参考后表面的控制类型的垂直双向开关，包括在其后表面上的第一主电极(A1)、在其前表面上的第二主电极(A2)以及栅极电极(G)。所述开关能够由栅极电极与第一电极之间的正电压控制。在所述开关中，栅极电极(G)被布置在穿过其中形成开关的芯片的过孔的前表面上。
- 使用与串联连接的P型MOS器件并联的串联连接的N型MOS器件的双向开关-201380015118.5
- D·埃亨尼;J·O·邓拉 - 美国亚德诺半导体公司
- 2013-03-14 - 2017-05-17 - H01L29/747
- 双向开关电路包括与共同源极端子串联连接的一对N型MOS器件，以及与共同源极端子串联连接的一对P型MOS器件。在包括开关电路的第一输入/输出(I/O)点与第一个N型器件的漏极连接且与第一个P型器件的漏极连接的配置中，串联连接的N型器件与串联连接的P型器件并联连接。并联配置还包括开关电路的第二I/O点与第二个N型器件的漏极连接且与第二个P型器件的漏极连接。
- 半导体装置-201510003952.3
- 山崎舜平 - 株式会社半导体能源研究所
- 2010-11-19 - 2015-05-06 - H01L29/747
- 一个目标是提供其待机功率充分降低的新的半导体装置。该半导体装置包括第一电源端子、第二电源端子、使用氧化物半导体材料的开关晶体管、以及集成电路。第一电源端子电连接到开关晶体管的源极端子和漏极端子中的一个。开关晶体管的源极端子和漏极端子中的另一个电连接到集成电路的一个端子。集成电路的另一个端子电连接到第二电源端子。
- 专利分类
