[发明专利]光刻胶结构、图形化沉积层和半导体芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种光刻胶结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层为PMMA胶，并以PMMA胶的软烘温度进行烘烤120s以作为第一烘烤；

在进行所述第一烘烤后的所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层为负性光刻胶，并以90℃~115℃进行烘烤30s~120s以作为第二烘烤；

对进行所述第二烘烤后的所述第二光刻胶层进行局部曝光，并以110℃进行烘烤90s以作为第三烘烤，其中，所述局部曝光的时长小于所述第二光刻胶层充分曝光的时长；

对所述第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影，得到图形化的第二光刻胶层，所述图形化的第二光刻胶层包括第一开口，所述第一开口对应所述局部曝光的曝光区或遮光区，所述第一开口包括第一部分和位于所述第一部分靠近所述衬底一侧的第二部分，所述第一部分的孔径小于所述第二部分的孔径，且所述第一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二部分在所述衬底上的正投影内；

对进行所述定影后的所述第二光刻胶层进行泛曝光，并进行第四烘烤，所述第四烘烤为先以所述第二光刻胶层所采用的负性光刻胶的前烘温度110℃进行烘烤90s，再以后烘温度110℃进行烘烤60s；

以进行所述第四烘烤后的所述图形化的第二光刻胶层作为掩膜版，对所述第一光刻胶层进行刻蚀，以获得图形化的第一光刻胶层。

2.根据权利要求1所述的光刻胶结构的制作方法，其特征在于，在衬底上形成第一光刻胶层，并进行第一烘烤，包括：

在衬底上以旋涂方式形成第一光刻胶层，并以所述第一光刻胶层的软烘温度对形成所述第一光刻胶层后的所述衬底进行烘烤，其中，所述的第一光刻胶层不与所述第二光刻胶层的显影液发生反应。

3.根据权利要求1所述的光刻胶结构的制作方法，其特征在于，在进行所述第一烘烤后的所述第一光刻胶层上形成第二光刻胶层，并进行第二烘烤，包括：

在所述第一光刻胶层远离所述衬底的一侧以旋涂方式形成第二光刻胶层，并以所述第二光刻胶层的软烘温度进行第二烘烤。

4.根据权利要求1所述的光刻胶结构的制作方法，其特征在于，对进行所述第二烘烤后的所述第二光刻胶层进行局部曝光，并进行第三烘烤，包括：

对进行所述第二烘烤后的所述第二光刻胶层进行局部曝光，并以所述第二光刻胶层的前烘时间或反转烘烤时间进行第三烘烤。

5.根据权利要求1所述的光刻胶结构的制作方法，其特征在于，对所述曝光并第三烘烤后的第二光刻胶层进行显影和定影，包括：

以设定时间对所述曝光并第三烘烤后的衬底进行显影，再进行定影，所述设定时间比所述第二光刻胶层在充分曝光条件下的显影时间多至少15s。

6.根据权利要求1所述的光刻胶结构的制作方法，其特征在于，以进行所述第四烘烤后的所述图形化的第二光刻胶层作为掩膜版，对所述第一光刻胶层进行刻蚀，包括：

采用物理刻蚀和/或反应刻蚀的方法，以进行所述第四烘烤后的所述图形化的第二光刻胶层作为掩膜版，对所述第一光刻胶层进行刻蚀。

7.一种图形化沉积层的制作方法，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的光刻胶结构的制作方法，还包括：

在所述图形化的第二光刻胶层上和暴露的所述衬底上形成沉积层，所述沉积层的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度与所述第二光刻胶层的厚度之和；

去除所述图形化的第一光刻胶层和所述图形化的第二光刻胶层，以获得图形化沉积层。

8.一种半导体芯片的制作方法，其特征在于，包括权利要求7所述的图形化沉积层的制作方法。

9.一种半导体芯片，其特征在于，所述半导体芯片包括的图形化沉积层由权利要求7所述的图形化沉积层的制作方法制得。