[发明专利]具有气隙的半导体元件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件结构，包括：

一第一导电结构以及一第二导电结构，设置在一半导体基底上；

一第一间隙子，设置在该第一导电结构上；

一第二间隙子，设置在该第二导电结构上；

一第三间隙子，设置在该第一间隙子的一侧壁上；以及

一第四间隙子，设置在该第二间隙子的一侧壁上；

其中，该第三间隙子的一下部贴近该第四间隙子的一下部，而该第三间隙子的该下部与该第四间隙子的该下部覆盖一气隙。

2.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一导电结构与该第二导电结构以该气隙而分隔开。

3.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一导电结构的一顶表面高于该第三间隙子的一底表面。

4.如权利要求3所述的半导体元件结构，其中该第三间隙子以该第一间隙子而与该第一导电结构的该顶表面分隔开。

5.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括一介电结构以及一第五间隙子，该介电结构与该第五间隙子设置在该第一导电结构上，其中该第一间隙子与该第五间隙子位在该介电结构的二相对侧壁上，而第一间隙子与该第五间隙子以相同材料所制。

6.如权利要求1所述的半导体元件结构，还包括：

一第一介电层，设置在该第一导电结构的一侧壁上，并被该第一间隙子所覆盖；以及

一第二介电层，设置在该第二导电结构的一侧壁上，并被该第二间隙子所覆盖，其中该第一介电层与该第二介电层是以该气隙而分隔开。

7.如权利要求1所述的半导体元件结构，其中该第一间隙子的一底表面直接接触该第三间隙子。

8.一种半导体元件结构，包括：

一第一导电结构以及一第二导电结构，设置在一半导体基底上，其中该第一导电结构与该第二导电结构以一气隙而分隔开；

一第一间隙子，设置在该第一导电结构的一顶表面上；

一第二间隙子，设置在该第二导电结构的一顶表面上；

一第三间隙子，设置在该第一间隙子上，其中该第三间隙子以该第一间隙子而与该第一导电结构的该顶表面分隔开；

一第四间隙子，设置在该第二间隙子上，其中该第四间隙子以该第二间隙子而与该第二导电结构的该顶表面分隔开，且该第三间隙子与该第四间隙子密封该气隙。

9.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中该第三间隙子的一上部与该第四间隙子的一上部分隔开，而该第三间隙子的一下部连接到该第四间隙子的一下部。

10.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中该第一间隙子的一底表面高于该第三间隙子的一底表面。

11.如权利要求8所述的半导体元件结构，还包括：

一第一介电结构，设置在该第一导电结构的该顶表面上，其中该第一导电结构、该第一介电结构以及该第三间隙子包围该第一间隙子；以及

一第二介电结构，设置在该第二导电结构的该顶表面上，其中该第二导电结构、该第二介电结构以及该第四间隙子包围该第二间隙子。

12.如权利要求8所述的半导体元件结构，其中该第一间隙子与该第二间隙子包含金属、多晶硅或其组合，而该第三间隙子与该第四间隙子包含氮化金属、硅化金属或其组合。