[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基板；

多个着陆垫，设置在该基板之上，所述多个着陆垫的至少一者包括一电容插塞的一突出部分与位于该突出部分之上的一第一间隔物，其中该第一间隔物的一宽度大于该电容插塞的一宽度；

设置在该基板之上的多个位元线接触和分别设置在所述多个位元线接触之上的多个位元线，其中所述多个位元线的至少一者为延伸于两个相邻电容接触之间的一波状条纹；以及

多个电容结构，分别设置在所述多个着陆垫之上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一间隔物包括金属硅化物且设置在该突出部分的一侧壁上。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一间隔物包括多晶硅且设置在该突出部分的一侧壁上。

4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一第二间隔物，设置在该第一间隔物之上。

5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该第二间隔物包括金属硅化物。

6.如权利要求1所述的半导体元件，还包括设置于该基板之上的多个电容接触，所述多个着陆垫设置在所述多个电容接触之上，所述多个电容接触的至少一者具有一颈部和位于该颈部之上的一头部，其中该头部的一上部宽度大于该颈部的一上部宽度。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该头部的该上部宽度大于该头部的一底部宽度。

8.如权利要求6所述的半导体元件，其中该颈部的该上部宽度与该头部的一底部宽度实质上相同。

9.如权利要求6所述的半导体元件，其中该头部具有一弯曲侧壁。

10.如权利要求6所述的半导体元件，其中该头部具有渐缩的轮廓。

11.一种半导体元件的制备方法，包括：

提供一基板，其包括多个第一区域和第二区域；

分别形成多个位元线接触于该基板的所述多个第一区域之上；

分别形成多个位元线于所述多个位元线接触之上；

分别形成多个电容接触于该基板的所述多个第二区域之上；

分别形成多个电容插塞于所述多个电容接触之上；

分别形成多个第一间隔物于所述多个电容插塞的多个突出部分之上，其中该第一间隔物的一宽度大于该电容插塞的一宽度；以及

分别形成多个电容结构于所述多个第一间隔物之上；

其中所述多个位元线的至少一者为延伸于两个相邻电容接触之间的一波状条纹。

12.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该第一间隔物包括金属硅化物且形成于该突出部分的一侧壁上。

13.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，其中该第一间隔物包括多晶硅且设置在该突出部分的一侧壁上。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，还包括：分别形成多个第二间隔物于所述多个第一间隔物之上。

15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中该第二间隔物包括金属硅化物。

16.如权利要求11所述的半导体元件的制备方法，还包括：设置于该基板之上的多个电容接触，所述多个第一间隔物形成于所述多个电容接触之上，所述多个电容接触的至少一者具有一颈部和位于该颈部之上的一头部，其中该头部的一上部宽度大于该颈部的一上部宽度。