[发明专利]使用具有环的晶圆形成焊料凸块在审
申请号: | 202010693090.2 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN112289762A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 野间崇;大漥升;林育圣 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/485;H01L23/13;H01L21/60;H05K3/34 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 具有 圆形 焊料 | ||
1.一种制作半导体器件的方法,包括:
在环状基板的正面上形成至少一个电路元件,已去除所述环状基板的背面的内部部分以获得所述环状基板的减薄部分,其中剩余基板材料的外环围绕所述环状基板的所述背面的周边;
将所述环状基板安装在安装卡盘上,所述安装卡盘具有内部凸起部分和围绕所述安装卡盘的周边的凹陷环,所述内部凸起部分被配置为在其上接纳所述基板的所述减薄部分,所述凹陷环被配置为在其中接纳所述环状基板的所述外环;以及
在环状晶圆设置在所述安装卡盘上时,形成电连接到所述至少一个电路元件的至少一个焊料凸块。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述安装之前,在所述至少一个电路元件上并且在所述基板的所述背面的所述内部部分上形成双无电镍金ENIG镀层并电连接到所述至少一个电路元件;以及
在正面ENIG镀层上形成所述至少一个焊料凸块并电连接到所述正面ENIG镀层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中去除所述内部部分包括:
利用背面磨削BG带固定所述基板的所述正面;
磨削所述基板的所述背面以限定所述减薄部分和所述外环;以及
去除所述BG带。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
从所述安装卡盘上去除所述环状基板;
从所述环状基板上去除所述外环;
对所述基板切片以限定单独的芯片,所述芯片包括具有所述至少一个电路元件的至少一个芯片;以及
将倒装芯片组件中的所述至少一个电路元件安装到至少一个电路板,包括使用所述至少一个焊料凸块将所述至少一个电路元件电连接到所述至少一个电路板。
5.一种半导体器件制造组件,包括:
安装组件,所述安装组件被配置为对在其正面上形成有至少一个电路元件的晶圆进行支撑,所述晶圆具有背面,其中在围绕所述背面的周边形成环和在所述环内形成减薄部分;
安装卡盘,所述安装卡盘设置在所述安装组件上,并且包括
凸起部分,所述凸起部分被配置为接纳所述晶圆的所述减薄部分,和
凹陷部分,所述凹陷部分被配置为接纳所述晶圆的所述环;以及
掩模,所述掩模被配置为在所述晶圆被设置在所述安装卡盘上,其中所述晶圆的所述减薄部分位于所述安装卡盘的所述凸起部分上并且所述晶圆的所述环设置在所述安装卡盘的所述凹陷部分内时,形成至少一个焊料凸块,所述至少一个焊料凸块用于电连接到所述至少一个电路。
6.根据权利要求5所述的半导体器件制造组件,其中所述至少一个电路元件包括形成在所述晶圆的所述正面上的多个电路元件,并且其中所述至少一个焊料凸块包括跨所述基板并电连接到所述多个电路元件中的每个电路元件的多个焊料凸块。
7.根据权利要求5所述的半导体器件制造组件,其中所述晶圆的所述减薄部分小于300微米。
8.根据权利要求5所述的半导体器件制造组件,其中所述至少一个焊料凸块的直径大于150微米。
9.根据权利要求5所述的半导体器件制造组件,包括双无电镍金ENIG镀层,所述双无电镍金ENIG镀层位于所述至少一个电路元件上以及位于所述环内的所述减薄部分上,并且电连接到所述至少一个电路元件,进一步地,其中所述至少一个焊料凸块形成在正面ENIG镀层上并电连接到所述正面ENIG镀层。
10.一种半导体器件,包括:
至少一个集成电路,所述至少一个集成电路形成在基板上,所述基板具有小于约300微米的厚度;和
至少一个焊料凸块,所述至少一个焊料凸块形成在所述集成电路上,所述至少一个焊料凸块具有大于约150微米的厚度。
11.根据权利要求10所述的半导体器件,还包括电路板,所述电路板使用所述至少一个焊料凸块电连接到所述集成电路。
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