[发明专利]包括具有中介桥的层叠的模块的半导体封装

说明书

包括具有中介桥的层叠的模块的半导体封装。一种半导体封装包括下模块和层叠在下模块上的上模块。下模块和上模块中的每一个包括半导体芯片、中介桥、密封剂和再分布线RDL。中介桥被配置为包括第一通孔和第二通孔。上模块相对于下模块横向偏移第一通孔和第二通孔的阵列间距，使得上模块的第一通孔与下模块的第二通孔交叠并且连接。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术，更具体地，涉及包括具有中介桥(interposingbridge)的层叠的模块的半导体封装。

背景技术

近来，大量关注指向将多个半导体芯片集成到一个半导体封装中。即，已尝试增加封装集成密度以生产高速处理大量数据的高性能半导体封装。包括在各个半导体封装中的多个半导体芯片可垂直地层叠，从而导致半导体封装的厚度增加。为了补偿半导体封装的厚度的增加，已对半导体封装应用了扇出(fan-out)封装技术。

发明内容

根据实施方式，一种半导体封装包括下模块和层叠在下模块上的上模块。下模块包括：下半导体芯片；下中介桥，其与下半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一下通孔和第二下通孔；下密封剂，其包封下半导体芯片和下中介桥；以及下再分布线(RDL)，其延伸以将下半导体芯片连接到第一下通孔。上模块包括：上半导体芯片；上中介桥，其与上半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一上通孔和第二上通孔；上密封剂，其包封上半导体芯片和上中介桥；以及上RDL，其延伸以将上半导体芯片连接到第一上通孔。第一上通孔与第二下通孔交叠。

根据另一实施方式，一种半导体封装包括下模块和层叠在下模块上的上模块。下模块包括：下半导体芯片；以及第一下中介桥，其与下半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一下通孔和第二下通孔。第一下通孔设置在下半导体芯片和第二下通孔之间。下模块还包括第二下中介桥，第二下中介桥与第一下中介桥相比在下半导体芯片的相反侧与下半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第三下通孔和第四下通孔。第四下通孔设置在下半导体芯片和第三下通孔之间。下模块还包括：下密封剂，其包封下半导体芯片以及第一下中介桥和第二下中介桥；第一下再分布线(RDL)，其延伸以将下半导体芯片连接到第一下通孔；以及第二下RDL，其延伸以将下半导体芯片连接到第三下通孔。上模块包括：上半导体芯片；以及第一上中介桥，其与上半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一上通孔和第二上通孔。第一上通孔设置在上半导体芯片和第二上通孔之间。上模块还包括第二上中介桥，第二上中介桥与第一上中介桥相比在上半导体芯片的相反侧与上半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第三上通孔和第四上通孔。第四上通孔设置在上半导体芯片和第三上通孔之间。上模块还包括：上密封剂，其包封上半导体芯片以及第一上中介桥和第二上中介桥；第一上RDL，其延伸以将上半导体芯片连接到第一上通孔；以及第二上RDL，其延伸以将上半导体芯片连接到第三上通孔。第一上通孔与第二下通孔交叠。

根据另一实施方式，一种半导体封装包括下模块和层叠在下模块上的上模块。下模块和上模块中的每一个包括：半导体芯片；中介桥，其与半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一通孔和第二通孔；密封剂，其包封半导体芯片和中介桥；以及再分布线(RDL)，其延伸以将半导体芯片连接到第一通孔。上模块相对于下模块横向偏移第一通孔和第二通孔的阵列间距，使得上模块的第一通孔与下模块的第二通孔交叠并且连接。

附图说明

图1是示出根据实施方式的半导体封装的横截面图。

图2是示出包括在图1的半导体封装中的基础模块的平面图。

图3是示出包括在图1的半导体封装中的下模块的平面图。

图4是示出包括在图1的半导体封装中的上模块的平面图。

图5是示出图1所示的下中介桥和上中介桥的层叠部分的放大横截面图。

图6是示出图1所示的基础中介桥、下中介桥和上中介桥的层叠部分的放大横截面图。

图7是示出根据另一实施方式的半导体封装的横截面图。