[发明专利]包括具有中介桥的层叠的模块的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

下模块；以及

层叠在所述下模块上的上模块，

其中，所述下模块包括：

下半导体芯片；

下中介桥，该下中介桥与所述下半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一下通孔和第二下通孔；

下密封剂，该下密封剂包封所述下半导体芯片和所述下中介桥；以及

下再分布线RDL，该下RDL延伸以将所述下半导体芯片连接到所述第一下通孔，

其中，所述上模块包括：

上半导体芯片；

上中介桥，该上中介桥与所述上半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一上通孔和第二上通孔；

上密封剂，该上密封剂包封所述上半导体芯片和所述上中介桥；以及

上RDL，该上RDL延伸以将所述上半导体芯片连接到所述第一上通孔，并且

其中，所述第一上通孔与所述第二下通孔交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上模块具有与所述下模块相同的配置。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，

其中，所述上半导体芯片具有与所述下半导体芯片相同的配置；

其中，所述上中介桥具有与所述下中介桥相同的配置；并且

其中，所述上RDL具有与所述下RDL相同的形状。

4.根据权利要求3所述的半导体封装，其中，所述上模块相对于所述下模块横向偏移所述第一下通孔和所述第二下通孔的阵列间距。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述第一上通孔与所述上半导体芯片之间的距离短于所述第二上通孔与所述上半导体芯片之间的距离；并且

其中，所述第一下通孔与所述下半导体芯片之间的距离短于所述第二下通孔与所述下半导体芯片之间的距离。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，

其中，所述第二上通孔与所述上半导体芯片之间的距离短于所述第一上通孔与所述上半导体芯片之间的距离；并且

其中，所述第二下通孔与所述下半导体芯片之间的距离短于所述第一下通孔与所述下半导体芯片之间的距离。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，

其中，所述上RDL从所述上半导体芯片延伸以绕过所述第二上通孔以到达所述第一上通孔；并且

其中，所述下RDL从所述下半导体芯片延伸以绕过所述第二下通孔以到达所述第一下通孔。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述上RDL和所述第二下通孔构成独立于所述下RDL的电路径。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

互连层，其中，所述下模块层叠在所述互连层上；以及

基础模块，该基础模块设置在所述互连层和所述下模块之间，

其中，所述基础模块包括：

基础半导体芯片；

基础中介桥，该基础中介桥与所述基础半导体芯片间隔开，并且被配置为包括第一基础通孔和第二基础通孔；以及

基础密封剂，该基础密封剂包封所述基础半导体芯片和所述基础中介桥。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述第一基础通孔和所述第二基础通孔分别与所述第一下通孔和所述第二下通孔交叠。