[发明专利]具有双层电容结构的DRAM、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储单元结构，包括：

半导体基底；

位于所述半导体基底内的沟槽式电容器；

沿第一方向延伸的第一栅极字线；

在所述第一栅极字线上方沿第二方向延伸的位线；

在所述位线上方沿所述第一方向延伸的第二栅极字线；

位于所述第二栅极字线上方的堆叠型电容器；

部分埋入基底的竖直型有源区分别与所述沟槽式电容器、第一栅极字线、位线、第二栅极字线和堆叠型电容器电连接。

2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于：

所述有源区在所述第一栅极字线的中心位置与所述第一栅极字线直交，和/或，所述有源区在所述第二栅极字线的中心位置与所述第二栅极字线直交。

3.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于：

所述有源区在所述位线的中心位置与所述位线直交。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的存储单元结构，其特征在于：

所述第一栅极字线和/或第二栅极字线的栅极为垂直型3D栅极结构。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的存储单元结构，其特征在于：

所述沟槽型电容器和所述堆叠型电容器具有相同的存储容量。

6.根据权利要求5所述的存储单元结构，其特征在于：所述沟槽型电容器为柱形电容器，并且所述堆叠型电容器为圆筒形电容器。

7.根据权利要求1-3任意一项所述的存储单元结构，其特征在于：

所述第一栅极字线与第一金属连接部电连接；

所述第二栅极字线与第二金属连接部电连接。

8.一种存储器结构，包括多个存储模块，所述存储模块由多个权利要求1-6任意一项所述的存储单元结构组成。

9.根据权利要求8所述的存储器结构，其特征在于：

所述相邻的存储模块之间的所述第一栅极字线被配置在同一字线驱动区的相同区域；所述相邻的存储模块之间的所述第二栅极字线被配置在同一字线驱动区的相同区域。

10.根据权利要求9所述的存储器结构，其特征在于：

所述字线驱动区包含所述被配置的字线和外围栅极，所述被配置的字线和外围栅极共享源极。

11.根据权利要求9所述的存储器结构，其特征在于：

所述存储模块的多个存储单元的相邻的位线被分别配置在相反两端的感应放大器区，并且所述相反两端的感应放大器中一端配置奇数个所述位线，而另一端配置偶数个所述位线。

12.根据权利要求9所述的存储器结构，其特征在于：

所述存储模块之间的位线与位线间隔的距离、第一栅极字线与第一栅极字线间隔的距离、第二栅极字线与第二栅极字线间隔的距离均相同；

所述存储模块之间位线与位线的长度、第一栅极字线与第一栅极字线的长度、第二栅极字线与第二栅极字线的长度均相同。

13.根据权利要求8所述的存储器结构，其特征在于：

所述第一金属连接部和所述第二金属连接部在金属布线层上被分别控制。

14.一种存储单元结构的制造方法，其包括以下工艺步骤：

提供半导体基底，在所述半导体基底内形成沟槽型电容器；

在所述基底上方沿第一方向形成第一栅极字线；

在所述第一栅极字线上方沿第二方向形成位线；

在所述位线上方沿第一方向形成第二栅极字线；

在所述第一栅极字线、第二栅极字线和位线的交点位置形成垂直型有源区；

在所述有源区上方形成堆叠型电容器。