[发明专利]半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，具有由隔离结构所定义出的有源区；

埋入式字线，沿着第一方向延伸跨过所述有源区；

埋入式位线，沿至少部分所述隔离结构延伸，且延伸方向与所述第一方向相交；

气隙，位于相邻的两个所述埋入式字线之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括位线接触区，所述位线接触区位于所述字线和所述气隙的下方。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

位线接触件，位于所述埋入式位线与所述位线接触区之间，用于与所述埋入式位线与所述位线接触区连接。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述位线接触件的材料选自多晶硅。

5.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述位线接触区在第一方向上的截面呈L形，所述位线接触件与所述L形的短边侧连接。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述埋入式字线位于字线沟槽内，所述埋入式字线包括栅阻挡金属层以及覆盖所述栅阻挡金属层的栅金属层，所述字线沟槽的内表面上形成有栅极氧化层，所述栅阻挡金属层覆盖所述栅极氧化层，所述栅金属层填充至所述字线沟槽，且所述栅金属层未填满所述字线沟槽。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，两个所述存储节点接触区分别位于各有源区的两端，且所述存储节点接触区的上表面与所述隔离结构的上表面平齐。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，于所述栅金属层的上方以及所述气隙的上方填充第一电介质层，所述第一电介质层的上表面与所述存储节点接触区的上表面平齐。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，于所述衬底上设置第二电介质层，于所述第二电介质层上形成与所述存储节点接触区位置对应的存储节点接触孔，于所述存储节点接触孔内填充存储节点接触插塞，所述存储节点接触插塞与所述存储节点接触区连接。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述埋入式字线沿第一方向呈直线形延伸，所述有源区和埋入式位线的延伸方向与第一方向呈α角或-α角，每根所述埋入式位线呈波浪形，其中0α90°。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构包括第一隔离结构以及第二隔离结构，所述第一隔离结构呈直线形，且沿着第一方向延伸，所述第二隔离结构呈波浪形，且沿着第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交，所述埋入式位线沿所述第二隔离结构延伸。

12.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底内形成隔离结构，以定义出至少一个有源区；

在所述衬底中形成埋入式字线，所述埋入式字线沿着第一方向延伸并跨过所述有源区；

在所述隔离结构中形成埋入式位线，所述埋入式位线沿至少部分所述隔离结构延伸，且延伸方向与所述第一方向相交；

在所述衬底中形成气隙，且所述气隙位于相邻的两个所述埋入式字线之间。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述埋入式字线以自对准方式形成在所述衬底中。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，以对所述气隙下方的衬底进行刻蚀、离子注入、沉积掺杂的多晶硅并回刻，形成位线接触件。

15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，在沉积掺杂的多晶硅的步骤之后还包括采用化学机械抛光工艺进行平坦化处理。