[发明专利]晶圆的对准方法及对准系统在审

专利信息
申请号: 202010574920.X 申请日: 2020-06-22
公开(公告)号: CN111900116A 公开(公告)日: 2020-11-06
发明(设计)人: 李其衡;贺晓彬;刘金彪;李亭亭 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
主分类号: H01L21/68 分类号: H01L21/68;H01L21/66;H01L21/67;H01L23/544
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 郎志涛
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 对准 方法 系统
【说明书】:

本申请属于半导体技术领域,具体涉及一种晶圆的对准方法及对准系统,该控制方法包括获取晶圆上的对位标记;获取预先设定的至少两种对准计划;选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准;如果对准所述对位标记失败选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。根据发明实施例的晶圆的对准方法,获取预先设定的至少两种对准计划,发生对准失败时自动选择其他对准计划再次进行对准,避免因对准失败导致再次设定对准计划重新对准,节省了重试的时间,降低了时间损耗和人力损耗,提高了对准速度。

技术领域

本申请属于半导体技术领域,具体涉及一种晶圆的对准方法及对准系统。

背景技术

本部分提供的仅仅是与本公开相关的背景信息,其并不必然是现有技术。

半导体器件包括多层结构。因此,当制备半导体器件时,需要保证预定图形与形成于该预定图形上方的其他图形之间或预定图形与形成于该预定图形下方的另一图形之间尽可能重叠,重叠的精度影响半导体的品质。

因此,在制造半导体器件的工艺中,会设置有对位标记,对对位标记进行对准,可以判断两个图形之间的重叠精度是否符合要求,以便提高半导体的品质。但现有技术中对对位标记进行对准时,对准方式单一,当对准失败时,需要重新进行对准方式的设定再重新进行对准,耗费时间和人力成本。

发明内容

本申请的第一方面提出了一种晶圆的对准方法,包括:

获取晶圆上的对位标记;

获取预先设定的至少两种对准计划;

选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准;

根据对准所述对位标记失败,选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。

本申请的第二方面提出了一种晶圆的对准系统,用于执行上述技术方案中的晶圆的对准方法,包括:

获取模块,所述获取模块用于获取晶圆上的对位标记;

获取模块,所述获取模块用于获取预先设定的至少两种对准计划;

选择模块,所述选择模块用于选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准和根据对准所述对位标记失败,选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:

图1为本申请实施例的晶圆的对准方法的流程图;

图2为图1所示的选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准;

根据对准所述对位标记失败,选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准的流程图;

图3为图1所示的选择所述第一对准计划对所述第一对位标记进行第一次对准的流程图;

图4为图3所示的根据第一次对准失败,选择所述第二对准计划对所述第二对位标记进行第二次对准的流程图;

图5为图1所示的根据第二次对准失败,选择所述第三对准计划对所述第三对位标记进行第三次对准的流程图;

图6为本申请实施例的晶圆的对准方法的完整流程图;

图7为本申请实施例的晶圆的对准的结构框图。

具体实施方式

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