[发明专利]晶圆的对准方法及对准系统在审
申请号: | 202010574920.X | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN111900116A | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 李其衡;贺晓彬;刘金彪;李亭亭 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66;H01L21/67;H01L23/544 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 郎志涛 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 对准 方法 系统 | ||
1.一种晶圆的对准方法,其特征在于,包括:
获取晶圆上的对位标记;
获取预先设定的至少两种对准计划;
选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准;
如果对准所述对位标记失败,选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。
2.根据权利要求1所述的晶圆的对准方法,其特征在于,所述对准计划为三个,所述对准计划分别为第一对准计划、第二对准计划和第三对准计划;
所述第一对准计划、所述第二对准计划和所述第三对准计划中的对位标记、对准激光、对准位置和对准目标层的参数互不相同。
3.根据权利要求2所述的晶圆的对准方法,其特征在于,所述对位标记为至少三个,所述对位标记分别为第一对位标记、第二对位标记和第三对位标记,所述第一对位标记、所述第二对位标记和所述第三对位标记互不相同。
4.根据权利要求3所述的晶圆的对准方法,其特征在于,所述选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准;
如果对准所述对位标记失败,选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准包括:
选择所述第一对准计划对所述第一对位标记进行第一次对准;
如果第一次对准失败,选择所述第二对准计划对所述第二对位标记进行第二次对准;
如果第二次对准失败,选择所述第三对准计划对所述第三对位标记进行第三次对准。
5.根据权利要求4所述的晶圆的对准方法,其特征在于,在所述获取预先设定的至少两种对准计划之后还包括获取参考规格,所述参考规格分别为第一参考规格、第二参考规格和第三参考规格,所述第一参考规格、所述第二参考规格和所述第三参考规格互不相同。
6.根据权利要求5所述的晶圆的对准方法,其特征在于,所述选择所述第一对准计划对所述第一对位标记进行第一次对准包括:
运行所述第一对准计划;
比较所述第一对位标记与所述第一参考规格;
如果所述第一对位标记不满足所述第一参考规格,确定所述第一对准计划对准失败。
7.根据权利要求5所述的晶圆的对准方法,其特征在于,所述如果第一次对准失败,选择所述第二对准计划对所述第二对位标记进行第二次对准包括:
运行所述第二对准计划;
比较所述第二对位标记与所述第二参考规格;
如果所述第二对位标记不满足所述第二参考规格,确定所述第二对准计划对准失败。
8.根据权利要求5所述的晶圆的对准方法,其特征在于,所述如果第二次对准失败,选择所述第三对准计划对所述第三对位标记进行第三次对准包括:
运行所述第三对准计划;
比较所述第三对位标记与所述第三参考规格;
如果所述第三对位标记满足所述第三参考规格,确定所述第三对准计划对准成功。
9.根据权利要求1所述的晶圆的对准方法,其特征在于,在所述如果对准所述对位标记失败,选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准之后还包括:
如果对准所述对位标记成功,对所述晶圆进行曝光。
10.一种晶圆的对准系统,用于执行权利要求1的晶圆的对准方法,其特征在于,包括:
获取模块,所述获取模块用于获取晶圆上的对位标记;
获取模块,所述获取模块用于获取预先设定的至少两种对准计划;
选择模块,所述选择模块用于选择一种所述对准计划对所述对位标记进行对准和如果对准所述对位标记失败,选择其他所述对准计划对所述对位标记进行对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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