[发明专利]微型发光二极管及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 202010562004.4 | 申请日: | 2020-06-18 |
公开(公告)号: | CN113451475B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 杨顺贵;黄嘉宏;黄国栋;林雅雯 | 申请(专利权)人: | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/20;H01L33/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 402760 重庆市璧*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 及其 制作方法 显示 面板 | ||
本发明涉及半导体显示技术领域,具体涉及一种微型发光二极管及其制作方法、显示面板;所述微型发光二极管包括衬底;以及于所述衬底上依次形成缓冲层、半导体层、第一导电类型半导体层、有源层第二导电类型半导体层;其中,所述第一导电类型半导体层具有一凹槽,所述有源层填充于所述凹槽内但不与所述凹槽的侧壁接触以形成一空隙;一光阻层,填充于所述空隙内;本发明通过在有源层的外侧生长一个光阻层,利用光阻层阻隔微型发光二极管的侧向光向周边微型发光二极管传播,以减弱微型发光二极管的侧向光对周边显示单元的光串扰,从而能够显著提升显示效果。
技术领域
本发明涉及半导体显示技术领域,具体涉及一种微型发光二极管及其制作方法、显示面板。
背景技术
微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)技术,即发光二极管(Light Emitting Diode,LED)微缩化和矩阵化技术,指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列;随着科学技术的发展,Micro LED的显示器件,由于其具有良好的稳定性,寿命,以及运行温度上的优势,同时也承继了LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,故其应用越来越广泛,制作工艺也日趋成熟。
但是,当Micro LED芯片尺寸缩小至10um×10um时,Micro LED芯片所发出的侧向光的比例将会变大,显示面板上相邻Micro LED芯片所发出的侧向光会互相干扰,从而形成光串扰(Light cross);而Light cross现象会随着Micro LED芯片尺寸和显示面板上相邻Micro LED芯片距离越小而变得更严重,极大的制约了Micro LED技术的发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种微型发光二极管及其制作方法、显示面板,以减弱微型发光二极管的侧向光对周边显示单元的光串扰,从而有利于提升显示面板的显示效果。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种微型发光二极管,包括:
衬底;以及
依次形成于所述衬底上的缓冲层、半导体层、第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层;
其中,所述第一导电类型半导体层具有一凹槽,所述有源层填充于所述凹槽内但不与所述凹槽的侧壁接触以形成一空隙;
一光阻层,填充于所述空隙内。
上述微型发光二极管通过在有源层外侧填充一个光阻层,利用光阻层阻隔微型发光二极管的侧向光向周边微型发光二极管传播,以减弱微型发光二极管的侧向光对周边显示单元的光串扰。
可选的,所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间还设置有隔离层,所述凹槽贯穿所述隔离层,并部分延伸至所述第一导电类型半导体层。
本发明通过设置隔离层,将第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层进行隔离,能够有效的增加微型发光二极管的绝缘与隔离的可靠性。
可选的,所述光阻层为布拉格反射镜。
本发明所述布拉格反射镜的能够将多路反射光直接或间接的反射成为正向出光,能够有效的减少侧向光而增加正向光。
可选的,所述凹槽的底部还填充有一导电类型与所述第一导电类型相同的半导体层。
本发明通过预先填设的第一导电类型半导体层,使得所述光阻层被夹设于第一导电类型半导体层之间,使光阻层不易发生偏折和脱离,从而使微型发光二极管的结构更为稳固。
可选的,所述光阻层与所述有源层的夹角为A,其中90°≤A≤160°。
基于相同的构思,本发明提供一种显示面板,包括:
基板;和
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