[发明专利]微型发光二极管及其制作方法、显示面板

权利要求书

1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；以及

依次形成于所述衬底上的缓冲层、半导体层、第一导电类型半导体层、有源层和 第二导电类型半导体层；

其中，所述第一导电类型半导体层开设有一凹槽，所述有源层填充于所述凹槽内但不与所述凹槽的侧壁接触以形成一空隙；

一光阻层，填充于所述空隙内。

2.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间还设置有隔离层，所述凹槽贯穿所述隔离层，并部分延伸至所述第一导电类型半导体层。

3.如权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，所述光阻层为布拉格反射镜。

4.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述凹槽的底部还填充有一导电类型与所述第一导电类型相同的半导体层。

5.如权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，所述光阻层与所述有源层的夹角为A，其中90°≤A≤160°。

6.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板；和

阵列设置在基板上的多个发光器件；

其中，所述发光器件为权利要求1-5中任一项所述的微型发光二极管。

7.一种微型发光二极管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

于衬底上依次形成缓冲层、半导体层、第一导电类型半导体层；

在所述第一导电类型半导体层上形成凹槽；

在所述凹槽内沉积形成一填充层；其中，所述填充层与所述凹槽的侧壁留有空隙；

在所述空隙内沉积形成光阻层；

去除所述填充层，在所述填充层的位置上形成有源层；

在所述有源层及所述第一导电类型半导体层上形成第二导电类型半导体层。

8.如权利要求7所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于，所述去除所述填充层的步骤之后，还包括：

在所述凹槽的底部填充一导电类型与所述第一导电类型相同的半导体层，再在所述半导体层之上形成所述有源层。

9.如权利要求7所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于，在形成所述凹槽之前，还包括：

在所述第一导电类型半导体层上形成一隔离层；

其中，形成的所述凹槽贯穿所述隔离层，并部分延伸至所述第一导电类型半导体层。

10.如权利要求7所述的微型发光二极管的制作方法，其特征在于，所述凹槽的形成工艺包括黄光微影及蚀刻制程工艺。