[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的核心层，核心层的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直的方向为第二方向；形成覆盖核心层侧壁的侧墙层；在基底上形成图形传递层，图形传递层覆盖侧墙层的侧壁；在第二方向上，在相邻侧墙层之间的图形传递层中形成第一沟槽；形成第一沟槽后，去除核心层，形成第二沟槽；以图形传递层和侧墙层为掩膜，沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明提高图形传递的精度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方 法。

背景技术

随着半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业的快速成长，半导体技 术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积 更小、电路精密度更高、电路复杂度更高的方向发展。

在集成电路发展过程中，通常功能密度(即每一芯片的内连线结构的数量) 逐渐增加的同时，几何尺寸(即利用工艺步骤可以产生的最小元件尺寸)逐渐 减小，这相应增加了集成电路制造的难度和复杂度。

目前，在技术节点不断缩小的情况下，如何提高形成于晶圆上的图形与目 标图形的匹配度成为了一种挑战。

发明内容

本发明实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，提高图形 传递的精度。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括： 提供基底；在所述基底上形成多个分立的核心层，所述核心层的延伸方向为第 一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；形成覆盖所述核心层侧壁 的侧墙层；在所述基底上形成图形传递层，所述图形传递层覆盖所述侧墙层的 侧壁；在所述第二方向上，在相邻所述侧墙层之间的所述图形传递层中形成第 一沟槽；形成所述第一沟槽后，去除所述核心层，形成第二沟槽；以所述图形 传递层和侧墙层为掩膜，沿所述第一沟槽和第二沟槽刻蚀所述基底，形成目标 图形。

相应的，本发明实施例提供一种半导体结构，包括：基底；多个分立的核 心层，位于所述基底上，所述核心层的延伸方向为第一方向，与所述第一方向 相相垂直的方向为第二方向；侧墙层，位于所述核心层的侧壁；图形传递层， 位于所述基底上且覆盖所述侧墙层的侧壁；沟槽，位于沿所述第二方向的相邻 所述侧墙层之间的所述图形传递层中。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

本发明实施例在基底上形成核心层，用于占据第二沟槽的位置，与直接在 图形传递层中形成第二沟槽的方案相比，核心层凸出于基底，因此，易于形成 较小尺寸的核心层，且核心层的尺寸和位置的精准度较高，这相应有利于精确 控制后续第二沟槽的图形精度，而且，形成覆盖核心层侧壁的侧墙层后，在基 底上形成图形传递层，图形传递层覆盖侧墙层的侧壁，并在第二方向上，在相 邻侧墙层之间的图形传递层中形成第一沟槽，核心层的尺寸和位置的精准度较 高，这相应提高了第一沟槽的尺寸和位置的精准度，综上，通过先形成核心层， 再形成第一沟槽的方式，有利于提高第一沟槽和第二沟槽的图形精度，从而提 高了目标图形的图形精度，相应提高了图形传递的精度。

附图说明

图1至图22是本发明半导体结构的形成方法一实施例中各步骤对应的结构 示意图；

图23至图24是本发明半导体结构一实施例的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，在技术节点不断缩小的情况下，如何提高形成于晶圆上 的目标图形与设计图形的匹配度成为了一种挑战。