[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多个分立的核心层，所述核心层的延伸方向为第一方向，与所述第一方向相垂直的方向为第二方向；

形成覆盖所述核心层侧壁的侧墙层；

在所述基底上形成图形传递层，所述图形传递层覆盖所述侧墙层的侧壁；

在所述第二方向上，在相邻所述侧墙层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽；

形成所述第一沟槽后，去除所述核心层，形成第二沟槽；

以所述图形传递层和侧墙层为掩膜，沿所述第一沟槽和第二沟槽刻蚀所述基底，形成目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述核心层的侧壁的侧墙层的步骤包括：形成保形覆盖所述核心层和基底的侧墙材料层，位于所述核心层的侧壁的所述侧墙材料层作为侧墙层；

去除所述核心层之前，所述形成方法还包括：回刻蚀所述侧墙材料层，去除高于所述核心层的顶面的所述侧墙材料层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述图形传递层后，去除所述核心层之前，回刻蚀所述侧墙材料层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述图形传递层后，在相邻所述核心层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽之前，回刻蚀所述侧墙材料层。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成覆盖所述核心层的侧壁的图形传递层的步骤包括：形成覆盖所述侧墙材料层的图形传递材料层；

对所述图形传递材料层进行平坦化处理，去除高于所述侧墙材料层顶面的所述图形传递材料层，剩余的所述图形传递材料层作为图形传递层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，回刻蚀所述侧墙材料层后，在相邻所述核心层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽之前，所述形成方法还包括：回刻蚀所述图形传递层，使剩余的所述图形传递层的顶面和所述核心层的顶面相齐平。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一沟槽后，去除所述核心层之前，所述形成方法还包括：至少在一个所述第一沟槽中形成阻挡层，所述阻挡层在所述第一方向上分割所述第一沟槽。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻所述核心层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽的步骤中，所述第一沟槽在所述第二方向上的侧壁露出所述侧墙层；

或者，

在所述第二方向上，所述第一沟槽和所述侧墙层通过所述图形传递层相隔离。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在相邻所述侧墙层之间的所述图形传递层中形成第一沟槽步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀相邻所述侧墙层之间的所述图形传递层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第二沟槽的步骤中，采用湿法刻蚀工艺，去除所述核心层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的工艺包括原子层沉积工艺。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述核心层的材料包括无定形硅、多晶硅、单晶硅、氧化硅、先进图膜材料、旋涂碳和碳化硅中的一种或多种。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的材料包括氧化钛、氮化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和碳化硅中的一种或多种。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形传递层的材料包括氧化硅或金属氧化物。