[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有栅极结构，且所述栅极结构两侧的基底内分别具有源漏掺杂区；

位于所述基底上覆盖所述栅极结构表面和源漏掺杂区表面的介质层，且所述介质层内具有暴露出源漏掺杂区顶部表面的开口；

位于所述开口侧壁表面的第一隔离层；

位于所述第一隔离层上和源漏掺杂区表面的导电结构，且所述导电结构填充满所述开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层沿垂直于开口侧壁表面方向上的尺寸范围为3纳米至6纳米。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层的材料为绝缘材料，所述绝缘材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述开口沿垂直于开口侧壁表面方向上的尺寸范围为10纳米至30纳米。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一隔离层表面的第二隔离层，且所述第二隔离层位于所述导电结构和第一隔离层之间。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层沿垂直于开口侧壁表面方向上的尺寸范围为3纳米至6纳米。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二隔离层的材料为绝缘材料，所述绝缘材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括：位于所述源漏掺杂区表面和第一隔离层上的粘附层、位于所述粘附层表面的导电层，且所述导电层填充满所述开口。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的鳍部，所述栅极结构横跨所述鳍部，且所述栅极结构位于部分所述鳍部的顶部表面和侧壁表面，所述源漏掺杂区位于所述栅极结构两侧的鳍部内。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述介质层的顶部表面高于栅极结构的顶部表面。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极结构包括：位于基底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的栅极层、以及位于所述栅介质层顶部表面和栅极层顶部表面的阻挡层。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述相邻栅极结构之间的距离范围为10纳米至55纳米。

13.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有栅极结构，且所述栅极结构两侧的基底内分别具有源漏掺杂区；

在所述基底上形成介质层，且所述介质层覆盖所述栅极结构和源漏掺杂区表面；

在所述介质层内形成暴露出源漏掺杂区顶部表面的开口；

在所述开口侧壁表面形成第一隔离层；

在所述第一隔离层上和源漏掺杂区表面形成导电结构，且所述导电结构填充满所述开口。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述开口的形成方法包括：在所述介质层表面形成第一图形化层，所述第一图形化层暴露出部分所述介质层表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述介质层，直至暴露出所述源漏掺杂区顶部表面，形成所述开口。

15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一隔离层的形成方法包括：在所述开口底部表面和侧壁表面、以及第一图形化层表面形成初始第一隔离层；回刻蚀所述初始第一隔离层，直至暴露出源漏掺杂区顶部表面和第一图形化层表面，形成所述第一隔离层。