[发明专利]反熔丝器件及反熔丝单元

说明书

本发明涉及一种反熔丝器件，反熔丝器件包括：衬底；反熔丝栅极，反熔丝栅极部分嵌入衬底内，反熔丝栅极嵌入衬底内的部分具有尖角；反熔丝栅氧化层，反熔丝栅氧化层位于反熔丝栅极与衬底之间。令反熔丝栅极和反熔丝栅氧化层在衬底内部均具有尖角，使得反熔丝器件有了多个尖端放电点，更加容易被击穿，有了多个击穿点使得同一批次生产的反熔丝器件的均匀性更好，提高了一批次产品性能的一致性，弯折的反熔丝栅氧化层有效面积更大，因此使得反熔丝器件能够以更小的尺寸获得更大的反熔丝栅氧化层面积，有利于反熔丝器件的小型化。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种反熔丝器件及反熔丝单元。

背景技术

在DRAM芯片上通常会有冗余存储单元，这些冗余存储单元可以在DRAM芯片产生缺陷存储单元时替换缺陷存储单元以达到修复DRAM的目的。在对DRAM芯片进行修复时，会借助到一次可编程(OTP，one time program)器件，如反熔丝单元。

在现有技术中，反熔丝器件的击穿存在不稳定的情况，当栅极接击穿电压时会出现部分产品并未击穿的情况，影响产品的良率。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供反熔丝器件及反熔丝单元。

本发明提供了一种反熔丝器件，所述反熔丝器件包括：

衬底；

反熔丝栅极，所述反熔丝栅极部分嵌入所述衬底内，所述反熔丝栅极嵌入所述衬底内的部分具有尖角；

反熔丝栅氧化层，所述反熔丝栅氧化层位于所述反熔丝栅极与所述衬底之间。

在其中一个实施例中，所述衬底内还具有浅沟槽隔离结构，所述反熔丝栅极同时嵌入所述衬底及所述浅沟槽隔离结构内。

在其中一个实施例中，所述反熔丝栅极嵌入所述浅沟槽隔离结构内的深度大于所述反熔丝栅极嵌入所述衬底内的深度。

在其中一个实施例中，所述尖角为直角或钝角。

在其中一个实施例中，所述尖角处的反熔丝栅氧化层的厚度小于非尖角处的反熔丝栅氧化层的厚度。

在其中一个实施例中，所述反熔丝器件还包括一重掺杂区，所述重掺杂区位于所述衬底内，且位于所述反熔丝栅极远离所述浅沟槽隔离结构的一侧。

在其中一个实施例中，所述反熔丝器件还包括反熔丝注入区，所述反熔丝注入区位于所述衬底内，所述反熔丝注入区包覆所述反熔丝栅极嵌入所述衬底内的部分，且所述反熔丝注入区包覆所述重掺杂区。

在其中一个实施例中，所述重掺杂区和所述反熔丝注入区的掺杂类型均为N型。

一种反熔丝单元，所述反熔丝单元包括：

上述的反熔丝器件；

晶体管，位于所述反熔丝栅极远离所述浅沟槽隔离结构的一侧，所述晶体管具有源极掺杂区和漏极掺杂区，所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区与所述反熔丝器件电连接。

在其中一个实施例中，所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区与所述重掺杂区至少部分重叠。

在其中一个实施例中，所述晶体管为非对称晶体管，晶体管的所述部分重叠区域一侧没有轻掺杂漏结构。

在其中一个实施例中，反熔丝栅氧化层的厚度小于等于所述晶体管的栅极氧化层的厚度。

本申请具有如下有益效果：