[发明专利]反熔丝器件及反熔丝单元在审
| 申请号： | 202010268401.0 | 申请日： | 2020-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113496987A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘志拯 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/108;H01L27/112 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反熔丝 器件 单元 | ||
1.一种反熔丝器件，其特征在于，所述反熔丝器件包括：
衬底；
反熔丝栅极，所述反熔丝栅极部分嵌入所述衬底内，所述反熔丝栅极嵌入所述衬底内的部分具有尖角；
反熔丝栅氧化层，所述反熔丝栅氧化层位于所述反熔丝栅极与所述衬底之间。
2.根据权利要求1所述的反熔丝器件，其特征在于，所述衬底内还具有浅沟槽隔离结构，所述反熔丝栅极同时嵌入所述衬底及所述浅沟槽隔离结构内。
3.根据权利要求2所述的反熔丝器件，其特征在于，所述反熔丝栅极嵌入所述浅沟槽隔离结构内的深度大于所述反熔丝栅极嵌入所述衬底内的深度。
4.根据权利要求3所述的反熔丝器件，其特征在于，所述尖角为直角或钝角。
5.根据权利要求4所述的反熔丝器件，其特征在于，所述尖角处的反熔丝栅氧化层的厚度小于非尖角处的反熔丝栅氧化层的厚度。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的反熔丝器件，其特征在于，所述反熔丝器件还包括一重掺杂区，所述重掺杂区位于所述衬底内，且位于所述反熔丝栅极远离所述浅沟槽隔离结构的一侧。
7.根据权利要求6所述的反熔丝器件，其特征在于，所述反熔丝器件还包括反熔丝注入区，所述反熔丝注入区位于所述衬底内，所述反熔丝注入区包覆所述反熔丝栅极嵌入所述衬底内的部分，且所述反熔丝注入区包覆所述重掺杂区。
8.根据权利要求6所述的反熔丝器件，其特征在于，所述重掺杂区和所述反熔丝注入区的掺杂类型均为N型。
9.一种反熔丝单元，其特征在于，所述反熔丝单元包括：
如权利要求6至8中任一项所述的反熔丝器件；
晶体管，位于所述反熔丝栅极远离所述浅沟槽隔离结构的一侧，所述晶体管具有源极掺杂区和漏极掺杂区，所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区与所述反熔丝器件电连接。
10.根据权利要求9所述的反熔丝单元，其特征在于，所述源极掺杂区或所述漏极掺杂区与所述重掺杂区至少部分重叠。
11.根据权利要求10所述的反熔丝单元，其特征在于，所述晶体管为非对称晶体管，晶体管的所述部分重叠区域一侧没有轻掺杂漏结构。
12.根据权利要求10所述的反熔丝单元，其特征在于，反熔丝栅氧化层的厚度小于等于所述晶体管的栅极氧化层的厚度。
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