[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：位于衬底上的功能结构和第一标记结构，所述功能结构与所述第一标记结构的特征尺寸相同；第一介质层，位于所述功能结构和所述第一标记结构处，且位于所述功能结构处的厚度与位于所述第一标记结构处的厚度不同；

所述功能结构和所述第一标记结构包括呈锯齿状的多个凹槽；所述凹槽中填充有所述第一介质层，且所述功能结构的凹槽中的所述第一介质层与所述第一标记结构的凹槽中的所述第一介质层的填充高度不同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括：所述第一标记结构处的所述第一介质层的厚度范围为250nm～350nm；所述功能结构处的所述第一介质层的厚度比所述第一标记结构处的所述第一介质层的厚度小50nm～100nm。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二介质层，覆盖所述第一介质层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，位于所述功能结构处的所述第一介质层和所述第二介质层的总厚度与位于所述第一标记结构处的所述第一介质层和所述第二介质层的总厚度相同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层在所述功能结构的凹槽中的填充高度小于所述第一介质层在所述第一标记结构的凹槽中的填充高度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介质层在所述第一标记结构的凹槽中的填充高度与所述第一标记结构的凹槽的深度相同。

7.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的第二标记结构，所述功能结构与所述第二标记结构的特征尺寸相同。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第三介质层，覆盖所述功能结构处的所述第二介质层，且未覆盖所述第二标记结构处的所述第二介质层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述衬底上的第三标记结构，所述功能结构与所述第三标记结构的特征尺寸不同。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第三标记结构处的所述第一介质层与位于所述功能结构处的所述第一介质层的厚度相同。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第三标记结构处的所述第一介质层和所述第二介质层的总厚度与位于所述功能结构处的所述第一介质层和所述第二介质层的总厚度相同。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，位于所述第三标记结构处的所述第三介质层覆盖所述第二介质层。

13.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成功能结构和第一标记结构，所述功能结构和所述第一标记结构的特征尺寸相同；在所述功能结构处和所述第一标记结构处形成厚度不等的第一介质层；

其中，所述功能结构和所述第一标记结构包括呈锯齿状的多个凹槽；所述凹槽中填充有所述第一介质层，且所述功能结构的凹槽中的所述第一介质层与所述第一标记结构的凹槽中的所述第一介质层的填充高度不同。

14.根据权利要求13所述的制备方法，所述在所述功能结构处和所述第一标记结构处形成厚度不等的第一介质层，包括：在所述衬底上形成第一介质层；在所述第一介质层上形成光刻胶层，利用制作工艺去除所述功能结构处的所述光刻胶层，利用刻蚀工艺去除所述功能结构处的部分所述第一介质层，形成所述功能结构处厚度小于所述第一标记结构处厚度的所述第一介质层。